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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFA072401FLV5R0XTMA1 | 726-PTFA072401FLV5R0 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥772.3638 100：¥719.1288 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | TAN150 | 494-TAN150新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,620.6957 2：¥1,581.6762 5：¥1,558.5804 10：¥1,536.4674 25：¥1,515.4308 50：¥1,411.5582 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MMRF1306HSR5 | 841-MMRF1306HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,783.4661 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF6VP3091NR1 | 841-MRF6VP3091NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥679.0446 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | LET9045S | 511-LET9045S新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥385.0002 5：¥376.3539 10：¥361.6704 25：¥349.9587 100：¥324.3357 250：¥314.9991 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | SD2931-12MR | 511-SD2931-12MR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIST | 数据表 | 无库存 | 1：¥575.2422 5：¥564.6888 10：¥550.0755 25：¥539.2881 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZ2210N50L2 | 747-IXZ2210N50L2新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ2210N50L2 10A 500V N Channel Dual ZMOS Linear MOSFET | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥321.048 5：¥311.4891 10：¥291.9033 25：¥270.0243 50：¥264.7476 100：¥248.1453 250：¥225.81 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PXAC243502FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC243502FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,041.7797 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MW6S004NT1 | 841-MW6S004NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N | 数据表 | 1290 有库存 | 1：¥84.7548 10：¥77.7231 25：¥70.6797 100：¥63.5661 250：¥58.2894 500：¥53.0127 1,000：¥47.736 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD57060S-E | 511-PD57060S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 无库存 | 1：¥413.7588 5：¥404.5041 10：¥388.674 25：¥376.1199 100：¥348.5898 250：¥338.5629 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT23S160W02GSR3 | 841-AFT23S160W02GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,116.1332 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLX13C | 974-BLX13C新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC241702FCV1XWSA1 | 726-PXAC241702FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥568.0467 100：¥526.4415 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MRF275G | 937-MRF275G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB | 数据表 | 19 有库存 | 1：¥1,098.9225 10：¥1,036.737 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2819-FS | 772-TGF2819-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | SD57030-01 | 511-SD57030-01新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp | 数据表 | 无库存 | 50：¥395.8578 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFP405FH6327XTSA1 | 726-BFP405FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2297 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.5038 100：¥1.5327 1,000：¥1.1817 3,000：¥1.00971 9,000：¥0.94068 24,000：¥0.89505 45,000：¥0.87165 99,000：¥0.83421 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH3135-20M | 937-PH3135-20M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,759.2939 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFU520XRVL | 771-BFU520XRVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 4000 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.9016 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 2,500：¥1.07055 10,000：¥0.9945 25,000：¥0.91845 50,000：¥0.84123 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBF5484 | 512-MMBF5484新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 20201 有库存 | 1：¥3.2877 10：¥2.1294 100：¥0.91026 1,000：¥0.70317 3,000：¥0.53586 9,000：¥0.47385 24,000：¥0.44343 45,000：¥0.3978 99,000：¥0.38259 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLA1011-200R,112 | 771-BLA1011-200R112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS LDMOS NCH 75V | 数据表 | 无库存 | 60：¥2,555.5374 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| PXAC261212FCV1XWSA1 | 726-PXAC261212FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥588.9312 100：¥548.3907 | 最低： 50 倍数： 50 |
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