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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ARF466BG | 494-ARF466BG 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 15 有库存 | 1：¥371.0772 2：¥360.9801 5：¥350.9532 10：¥340.938 25：¥316.836 50：¥309.114 100：¥295.3431 250：¥269.9541 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PTFA180701EV4R250XTMA1 | 726-PTFA180701EV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 OTHERS | 数据表 | 无库存 | 250：¥365.6484 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | QPD1013SR | 772-QPD1013SR新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8% | 数据表 | 100 有库存 | 1：¥1,346.3073 25：¥1,164.3957 100：¥1,007.1243 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD2918 | 511-SD2918新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 125 Volt 6 Amp | 数据表 | 无库存 | 1：¥353.2464 5：¥345.4542 10：¥329.6124 25：¥315.7713 100：¥286.1703 250：¥276.2955 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF24300GNR3 | 841-MRF24300GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,180.3077 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BLC8G27LS-160AVU | 771-BLC8G27LS-160AVU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC8G27LS-160AV/DFM6F/STANDARD | 数据表 | 无库存 | 60：¥728.3016 120：¥678.2022 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | HFA3102BZ | 968-HFA3102BZ新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14 | 数据表 | 无库存 | 1：¥42.1434 10：¥35.802 100：¥31.0518 250：¥29.4489 500：¥26.4654 1,000：¥22.3353 2,500：¥21.1887 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V13250HSR5 | 841-MRF6V13250HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,055.1752 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 2SC5551AF-TD-E | 863-2SC5551AF-TD-E新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz | 数据表 | 2290 有库存 | 1：¥7.5699 10：¥6.4233 100：¥4.9374 500：¥4.3641 1,000：¥3.4398 2,000：¥3.0537 10,000：¥2.9484 25,000：¥2.8431 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFS19,215 | 771-BFS19215新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ | 数据表 | 4674 有库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.223 100：¥1.2051 1,000：¥0.90207 3,000：¥0.78039 9,000：¥0.72657 24,000：¥0.66573 45,000：¥0.64233 99,000：¥0.6201 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T1G4012036-FS | 772-T1G4012036-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BF1102R,135 | 771-BF1102R135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥2.0007 20,000：¥1.9071 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | A2T23H300-24SR6 | 841-A2T23H300-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2300-2400 MHz, 69 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,123.1649 5：¥1,098.0801 10：¥1,075.6629 25：¥1,059.7509 50：¥1,021.2813 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 3SK292(TE85R,F) | 757-3SK292TE85RF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 | 数据表 | 2913 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.1824 100：¥2.0007 1,000：¥1.4976 3,000：¥1.2753 9,000：¥1.1934 24,000：¥1.13256 45,000：¥1.10097 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT09MP055NR1 | 841-AFT09MP055NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥196.0569 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MMBTH11 | 512-MMBTH11新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 26179 有库存 | 1：¥1.6848 10：¥1.12437 100：¥0.47385 1,000：¥0.32175 3,000：¥0.25272 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2729-125 | 494-2729-125新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 20：¥2,478.7269 25：¥2,444.7618 | 最低： 20 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU530WF | 771-BFU530WF新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.4804 100：¥1.521 1,000：¥1.1817 2,500：¥1.00152 10,000：¥0.93366 25,000：¥0.88686 50,000：¥0.86463 100,000：¥0.83421 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA092201EV4XWSA1 | 726-PTFA092201EV4XWS新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF5812GR1 | 974-MRF5812GR1新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 1500 有库存 | 1：¥45.8991 10：¥38.3994 25：¥34.5033 50：¥30.5955 100：¥27.5418 200：¥21.4227 1,000：¥21.4227 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NSVF4020SG4T1G | 863-NSVF4020SG4T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 150MA 8V FT=16G | 数据表 | 2985 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.5568 100：¥2.2932 1,000：¥1.8369 3,000：¥1.5561 9,000：¥1.4976 24,000：¥1.4391 45,000：¥1.4157 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC2942FW | 511-STAC2942FW新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch | 数据表 | 40 有库存 | 1：¥673.1478 5：¥660.8394 10：¥631.0863 25：¥610.0497 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB212507SHV1R250XTMA1 | 726-PTFB212507SHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PD54008-E | 511-PD54008-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | 400：¥88.7328 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
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