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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD57070-E | 511-PD57070-E 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 |  详细信息 |
 | J111,126 | 771-J111126新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single 40V 20mA | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.2065 10：¥4.2705 100：¥2.7495 1,000：¥2.1996 2,500：¥1.872 10,000：¥1.8018 20,000：¥1.7199 50,000：¥1.6965 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD0030 | 772-QPD0030新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V | 数据表 | 250 有库存 | 1：¥277.29 25：¥232.3854 100：¥209.1375 250：¥193.6818 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MHT1002GNR3 | 841-MHT1002GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 915 MHz, 350 W, 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,469.0052 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF1K50GNR5 | 841-MRF1K50GNR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V | 数据表 | 46 有库存 | 1：¥1,499.6709 5：¥1,466.244 10：¥1,436.2569 25：¥1,415.0682 50：¥1,363.6701 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFX1K80H-230MHZ | 771-MRFX1K80H-230MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1800W - 230MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT18S260W31GSR3 | 841-AFT18S260W31GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥908.7507 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXAC192908FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC192908FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥920.0061 100：¥873.9549 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MAPRST1214-30UF | 937-MAPRST1214-30UF新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 30W Gain:7.5dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,952.8353 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SK3079ATE12LQ | 757-2SK3079ATE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥19.8081 10：¥15.9822 100：¥12.7764 500：¥11.2437 1,000：¥9.3366 2,000：¥8.6463 5,000：¥8.3421 10,000：¥8.0262 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2952 | 772-TGF2952新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm | 数据表 | 无库存 | 50：¥231.6249 100：¥200.3391 250：¥188.3349 500：¥177.0093 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
.JPG) | PD55008L-E | 511-PD55008L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan | 数据表 | 无库存 | 1：¥108.2367 10：¥99.5202 25：¥95.3901 100：¥84.0645 250：¥79.9344 500：¥74.8098 1,000：¥68.6205 3,000：¥61.8813 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF492 | 974-MRF492新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 9 有库存 | 1：¥550.7658 10：¥458.9676 25：¥413.0685 50：¥367.1694 100：¥330.4548 200：¥257.0256 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 55GN01CA-TB-E | 863-55GN01CA-TB-E新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 SWITCHING DEVICE | 数据表 | 8994 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.223 100：¥0.95589 1,000：¥0.73476 3,000：¥0.55809 9,000：¥0.49725 24,000：¥0.46683 45,000：¥0.41301 99,000：¥0.3978 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | SD1407 | 974-SD1407新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 26 有库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFP450H6327XTSA1 | 726-BFP450H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1438 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.5568 100：¥2.2932 1,000：¥1.8369 3,000：¥1.5561 9,000：¥1.4976 24,000：¥1.4391 45,000：¥1.4157 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MT3S113TU,LF | 757-MT3S113TULF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW | 数据表 | 无库存 | 3,000：¥1.8954 9,000：¥1.8252 24,000：¥1.755 45,000：¥1.7316 | 最低： 3000 倍数： 3000 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5150GNR1 | 841-MRFE6VP5150GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥343.9917 5：¥326.5587 10：¥320.9661 25：¥290.9088 100：¥278.6706 250：¥257.5521 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH3135-90S | 937-PH3135-90S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥2,751.6645 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1022HSR5 | 841-MMRF1022HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,490.1939 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTFC261402FCV1XWSA1 | 726-PTFC261402FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥594.5121 100：¥553.5972 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | BFP 420 H6433 | 726-BFP420H6433新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 10000 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.6442 100：¥1.6029 1,000：¥1.2519 2,500：¥1.06353 10,000：¥0.98631 20,000：¥0.94068 50,000：¥0.91845 100,000：¥0.87984 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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