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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF173 | 937-MRF173 新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB | 数据表 | 92 有库存 | 1：¥347.6655 10：¥325.1079 25：¥312.858 50：¥300.7017 100：¥281.8881 250：¥263.0628 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | SD2942W | 511-SD2942W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥1,167.1569 5：¥1,139.0769 10：¥1,110.7746 25：¥1,095.2487 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CGH40010F | 941-CGH40010F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt | 数据表 | 1157 有库存 | 1：¥447.3378 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC203302FVV1R250XTMA1 | 726-AC203302FVV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥880.1442 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF426 | 974-MRF426新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥292.2075 10：¥242.1783 25：¥235.4508 50：¥228.7233 100：¥174.33 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T26H160-24SR3 | 841-A2T26H160-24SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2496 - 2690 MHz, 28 W AVG, 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,023.9606 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFP 720F H6327 | 726-BFP720FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3135 有库存 | 1：¥3.8961 10：¥3.2409 100：¥1.9773 1,000：¥1.521 3,000：¥1.2987 9,000：¥1.2051 24,000：¥1.14777 45,000：¥1.12437 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V14300HSR5 | 841-MRF6V14300HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,144.4462 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 375-501N21A-00 | 747-375-501N21A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375 21A 500V N Channel MOSFET | 数据表 | 58 有库存 | 1：¥170.4339 5：¥165.3093 10：¥154.8963 25：¥143.2782 50：¥140.517 100：¥131.7186 250：¥119.8665 500：¥112.3668 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF10H6600PSU | 771-BLF10H6600PSU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF10H6600PS/LDMOST/STANDARD M | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,581.9102 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF586 | 494-MRF586新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
 | T1G2028536-FL | 772-T1G2028536-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN | 数据表 | 25 有库存 | 1：¥3,885.921 25：¥3,581.253 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | DRF1200 | 494-DRF1200新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 9 有库存 | 1：¥1,113.9102 2：¥1,087.1406 5：¥1,071.2286 10：¥1,056.0888 25：¥1,041.6276 50：¥970.1757 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | UF2840G | 937-UF2840G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,099.5309 10：¥989.6094 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8S9260HSR3 | 841-MRF8S9260HSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,018.9062 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF137 | 937-MRF137新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB | 数据表 | 98 有库存 | 1：¥229.5657 10：¥226.1142 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55025-E | 511-PD55025-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | 1：¥219.0825 5：¥216.8595 10：¥202.0941 25：¥192.9915 100：¥172.575 250：¥164.619 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP61K25HSR5 | 841-MRFE6VP61K25HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,961.3997 5：¥1,917.6417 10：¥1,878.4818 25：¥1,850.706 50：¥1,783.4661 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR08N120 | 747-IXZR08N120新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 08A 1200V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO PLUS 247 | 数据表 | 80 有库存 | 1：¥236.5155 5：¥229.4019 10：¥215.0226 25：¥198.8883 50：¥194.9805 100：¥182.7423 250：¥166.374 500：¥155.8908 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH60060D-GP4 | 941-CGH60060D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PD55015S-E | 511-PD55015S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥156.2067 5：¥154.5921 10：¥144.1206 25：¥137.6154 100：¥123.084 250：¥117.4212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1305HR5 | 841-MMRF1305HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V | 数据表 | 49 有库存 | 1：¥687.9951 5：¥674.6805 10：¥652.3452 25：¥624.7332 50：¥616.1688 100：¥573.1011 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF909WR,115 | 771-BF909WR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.4047 100：¥2.0709 1,000：¥1.6029 3,000：¥1.3689 9,000：¥1.2753 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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