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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF1101R,215 | 771-BF1101R215 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3408 100：¥2.0416 1,000：¥1.5776 3,000：¥1.3456 9,000：¥1.2528 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.16 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PD57045TR-E | 511-PD57045TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥393.008 5：¥384.2848 10：¥366.6876 25：¥351.2944 100：¥318.3852 250：¥307.3884 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MRFE6VP5150NR1 | 841-MRFE6VP5150NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | 数据表 | 860 有库存 | 1：¥341.0516 5：¥323.7676 10：¥318.2228 25：¥288.4224 100：¥276.2888 250：¥255.3508 500：¥246.0244 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | IXZ308N120 | 747-IXZ308N120新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 08A 1200V N Channel ZMOS Switch MOSFET | 数据表 | 51 有库存 | 1：¥283.04 5：¥274.5488 10：¥257.3228 25：¥238.0668 50：¥233.4384 100：¥218.7296 250：¥199.0792 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1310HSR5 | 841-MMRF1310HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥657.3836 100：¥611.3548 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | TGF2819-FL | 772-TGF2819-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| MMRF1008GHR5 | 841-MMRF1008GHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,961.618 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| BFP760H6327XTSA1 | 726-BFP760H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.712 10：¥3.0392 100：¥1.856 1,000：¥1.4384 3,000：¥1.218 9,000：¥1.13796 24,000：¥1.07648 45,000：¥1.05444 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57070-E | 511-PD57070-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
 | QPD2795 | 772-QPD2795新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN | 数据表 | 22 有库存 | 1：¥1,507.2576 25：¥1,248.1832 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF151G | 974-MRF151G新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,298.0168 10：¥1,256.454 25：¥1,214.9724 50：¥981.8356 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MZ0912B50Y | 974-MZ0912B50Y新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,659.126 2：¥2,440.176 5：¥2,189.906 10：¥1,939.6244 25：¥1,751.9248 50：¥1,689.3544 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1023HSR5 | 841-MMRF1023HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,240.91 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PXAC213308FVV1R2XTMA1 | 726-PXAC213308FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥806.0376 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| BFQ790H6327XTSA1 | 726-BFQ790H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥6.6352 | 最低： 10000 倍数： 1000 | |
| BFP720H6327XTSA1 | 726-BFP720H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5855 有库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.306 100：¥2.0184 1,000：¥1.566 3,000：¥1.334 9,000：¥1.2412 24,000：¥1.1716 45,000：¥1.14492 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G20LS-400AVY | 771-BLC8G20LS-400AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ACP Pad for base station | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,022.1804 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BFT25,215 | 771-BFT25215新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | 数据表 | 1639 有库存 | 1：¥4.3964 10：¥3.6424 100：¥2.2272 1,000：¥1.7168 3,000：¥1.4616 9,000：¥1.3688 24,000：¥1.2876 45,000：¥1.2644 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| LET9070FB | 511-LET9070FB新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 70W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 50：¥549.8516 100：¥512.0008 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MRFE6VS25LR5 | 841-MRFE6VS25LR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V NI360L | 数据表 | 376 有库存 | 1：¥510.0288 5：¥495.1692 10：¥484.5436 25：¥464.2204 50：¥464.2204 100：¥430.1744 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55035S-E | 511-PD55035S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 400：¥188.5348 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
| AFT18S230-12NR3 | 841-AFT18S230-12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥836.5224 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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