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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF171A | 937-MRF171A 新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB | 数据表 | 19 有库存 | 1：¥246.79 10：¥239.5864 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | TGF2952 | 772-TGF2952新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm | 数据表 | 无库存 | 50：¥229.6452 100：¥198.6268 250：¥186.7252 500：¥175.4964 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF652S | 974-MRF652S新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 14 有库存 | 1：¥591.5536 10：¥492.9652 25：¥443.6652 50：¥394.3768 100：¥354.9368 200：¥276.0568 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF314 | 937-MRF314新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB | 数据表 | 68 有库存 | 1：¥224.9472 10：¥214.252 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85035STR-E | 511-PD85035STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥250.8848 5：¥248.298 10：¥231.3852 25：¥221.0032 100：¥197.6408 250：¥188.5348 600：¥179.4404 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2936 | 772-TGF2936新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 10Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥269.6884 100：¥207.8024 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT05MP075NR1 | 841-AFT05MP075NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4 | 数据表 | 464 有库存 | 1：¥172.2368 5：¥164.6504 10：¥158.8852 25：¥138.6316 100：¥135.6736 250：¥129.9896 500：¥119.596 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP740H6327XTSA1 | 726-BFP740H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5675 有库存 | 1：¥3.8628 10：¥3.1668 100：¥1.9256 1,000：¥1.4964 3,000：¥1.276 9,000：¥1.1832 24,000：¥1.12288 45,000：¥1.09968 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD54008-E | 511-PD54008-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | 400：¥87.9744 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | 1214-370M | 494-1214-370M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,423.682 5：¥3,208.7456 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MS031GNR1 | 841-AFT05MS031GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V | 数据表 | 1135 有库存 | 1：¥119.7584 10：¥110.1188 25：¥105.27 100：¥92.9856 250：¥83.1256 500：¥80.3184 1,000：¥73.718 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP650H6327XTSA1 | 726-BFP650H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 4603 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.9696 100：¥1.8096 1,000：¥1.4036 3,000：¥1.1948 9,000：¥1.11476 24,000：¥1.05444 45,000：¥1.03124 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFP650FH6327XTSA1 | 726-BFP650FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 7128 有库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3756 100：¥2.0648 1,000：¥1.5892 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2644 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1007HR5 | 841-MMRF1007HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,703.1156 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTFC262808FVV1R0XTMA1 | 726-PTFC262808FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,058.732 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | LET16045C | 511-LET16045C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 45W 16dB 1600 | 数据表 | 无库存 | 50：¥604.8356 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MD7IC2012NR1 | 841-MD7IC2012NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14 | 数据表 | 无库存 | 500：¥213.9504 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| BF 999 E6327 | 726-BF999E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode | 数据表 | 4682 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.7956 100：¥1.7052 1,000：¥1.3224 3,000：¥1.12288 9,000：¥1.04632 24,000：¥0.99296 48,000：¥0.97092 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PD85035A-E | 511-PD85035A-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio Freq LDMO LDMOS 7/12 V HF/VHF | 数据表 | 无库存 | 400：¥164.952 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
| AFT21S240-12SR3 | 841-AFT21S240-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥749.3832 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFR106E6327HTSA1 | 726-BFR106E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.958 10：¥2.204 100：¥1.1948 1,000：¥0.89436 3,000：¥0.77372 9,000：¥0.72036 24,000：¥0.667 48,000：¥0.63684 99,000：¥0.6148 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1K50N-TF4 | 841-MRF1K50N-TF4新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4 | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| PXAD184218FVV1R0XTMA1 | 726-PXAD184218FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,020.2896 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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