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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFS20,235 | 771-BFS20235 新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ | 数据表 | 8098 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | MRF8P8300HSR6 | 841-MRF8P8300HSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 | |
 | SD57060-01 | 511-SD57060-01新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp | 数据表 | 50 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PTFB193404F V1 | 726-PTFB193404FV1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FETs 340W 30V 1930-1990 MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BLM8G0710S-45ABY | 771-BLM8G0710S-45ABY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | DME800 | 494-DME800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 25 倍数： 1 | ||
 | BFS 17W H6327 | 726-BFS17WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 13830 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTFB192503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB192503FLV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | BLC8G27LS-160AVJ | 771-BLC8G27LS-160AVJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC8G27LS-160AV/DFM6F/REEL 13 | 数据表 | 无库存 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 | |
| MRF6V12500GSR5 | 841-MRF6V12500GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | ||
 | BFU520XVL | 771-BFU520XVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF464 | 974-MRF464新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| DME500 | 494-DME500新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 25 倍数： 1 | ||
| BFP181E7764HTSA1 | 726-BFP181E7764HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 8980 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 0405SC-1500M | 494-0405SC-1500M新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 5 倍数： 5 | ||
 | BFU520AVL | 771-BFU520AVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 8239 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 2SC5087YTE85LF | 757-2SC5087YTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V | 数据表 | 2340 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PXAC210552FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC210552FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
| PXAC182002FCV1R250XTMA1 | 726-AC182002FCV1R250新产品 | Infineon / IR | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
| AFT21S232SR3 | 841-AFT21S232SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | BFS20W,115 | 771-BFS20W115新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS HV TAPE-7 | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MRF5S9080NBR1 | 841-MRF5S9080NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV5 900MHZ 80W | 数据表 | 无库存 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 | |
 | QPD3601 | 772-QPD3601新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN | 数据表 | 13 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTAB182002FCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 |
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