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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFP196E6327HTSA1 | 726-BFP196E6327HTSA1 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 8570 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.1228 100：¥0.97788 1,000：¥0.75052 3,000：¥0.63684 9,000：¥0.58348 24,000：¥0.54636 48,000：¥0.493 99,000：¥0.4698 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
| MMBFJ211 | 512-MMBFJ211新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 8836 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.32 100：¥1.2644 1,000：¥0.94772 3,000：¥0.812 9,000：¥0.7656 24,000：¥0.69716 45,000：¥0.67512 99,000：¥0.64496 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTVA093002NDV1R5XUMA1 | 726-PTVA093002NDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥426.9032 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | TGF2953 | 772-TGF2953新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm | 数据表 | 200 有库存 | 50：¥332.9432 100：¥287.97 250：¥270.6744 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFP 410 H6327 | 726-BFP410H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 3142 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.5636 100：¥1.566 1,000：¥1.2064 3,000：¥1.03124 9,000：¥0.9628 24,000：¥0.9106 45,000：¥0.8874 99,000：¥0.85724 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T21H450W19SR6 | 841-A2T21H450W19SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 89 W Avg., 30 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,447.1928 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | ARF461AG | 494-ARF461AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥332.6416 2：¥323.6168 5：¥314.6616 10：¥305.6368 25：¥284.0956 50：¥277.124 100：¥264.8396 250：¥242.0108 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1013HR5 | 841-MMRF1013HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,580.7912 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| LET9060S | 511-LET9060S新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 400：¥335.9012 | 最低： 400 倍数： 400 | |
 | LET20030C | 511-LET20030C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans Ldmost Family | 数据表 | 无库存 | 50：¥543.9356 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF141 | 974-MRF141新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥564.108 10：¥517.6152 25：¥464.522 50：¥411.4404 100：¥371.6176 200：¥358.3472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MS031NR1 | 841-AFT05MS031NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V | 数据表 | 776 有库存 | 1：¥116.2668 10：¥106.9404 25：¥102.2308 100：¥90.3292 250：¥80.6896 500：¥77.9636 1,000：¥71.514 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| BFR193WH6327XTSA1 | 726-BFR193WH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 472 有库存 | 1：¥2.958 10：¥2.0532 100：¥0.94772 1,000：¥0.72848 3,000：¥0.62176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTRA093302FCV1R2XTMA1 | 726-PTRA093302FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥597.7016 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PTVA043502FCV1R2XTMA1 | 726-PTVA043502FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥957.116 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PXAC210552MDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552MDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥218.5788 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | A2V09H525-04NR6 | 841-A2V09H525-04NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated power amplifier, 575-960 MHz, 525 W, 48 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,013.0048 | 最低： 150 倍数： 150 | |
| PTFB093608FVV3R2XTMA1 | 726-PTFB093608FVV3R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥901.668 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PTFB090901FAV2R250XTMA1 | 726-PTFB090901FAV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥289.8608 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| A2T18H450W19SR6 | 841-A2T18H450W19SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 89 W Avg., 30 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,523.2656 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| NESG2101M05-EVPW24-A | 551-NESG2101M05-EVPW新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,042.8168 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | A2T18S261W12NR3 | 841-A2T18S261W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥501.758 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | T2G4005528-FS | 772-T2G4005528-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,618.4436 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| PTVA030121EAV1R0XTMA1 | 726-PTVA030121EAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥367.4532 100：¥340.5296 250：¥330.7392 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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