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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLC8G27LS-100AVZ | 771-BLC8G27LS-100AVZ 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥608.0952 5：¥596.9476 10：¥570.0936 25：¥551.058 100：¥513.1376 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | 2SC5108-Y,LF | 757-2SC5108-YLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 1887 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.3548 100：¥1.3688 1,000：¥0.986 3,000：¥0.83404 24,000：¥0.75864 45,000：¥0.68208 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC241702FCV1XWSA1 | 726-PXAC241702FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥563.1916 100：¥521.942 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | BG 3130 H6327 | 726-BG3130H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 8900 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.4244 100：¥1.3108 1,000：¥0.986 3,000：¥0.84912 9,000：¥0.79576 24,000：¥0.72848 48,000：¥0.70528 99,000：¥0.67512 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NSVF4015SG4T1G | 863-NSVF4015SG4T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.3268 10：¥3.5612 100：¥2.1808 1,000：¥1.682 3,000：¥1.4384 9,000：¥1.334 24,000：¥1.2644 45,000：¥1.2412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P20140WHSR3 | 841-MRF8P20140WHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥690.9076 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| A2T20H330W24NR6 | 841-A2T20H330W24NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 71 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥891.1352 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | IXZH16N60 | 747-IXZH16N60新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 600V 16A RF MOSFET TO-247 | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥253.8428 5：¥246.2564 10：¥230.782 25：¥213.4864 50：¥209.322 100：¥196.2024 250：¥178.6052 500：¥167.3068 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRFE6VP6300GSR5 | 841-MRFE6VP6300GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥657.3836 100：¥611.3548 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| ITC1100 | 494-ITC1100新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥4,252.618 | 最低： 25 倍数： 1 | |
| MMRF1316NR1 | 841-MMRF1316NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥615.2176 5：¥603.316 10：¥583.364 25：¥558.714 50：¥550.9884 100：¥512.4532 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5600HR6 | 841-MRFE6VP5600HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,255.8508 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| NSVF4009SG4T1G | 863-NSVF4009SG4T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G | 数据表 | 2833 有库存 | 1：¥4.2456 10：¥3.5264 100：¥2.2736 1,000：¥1.8212 3,000：¥1.5428 9,000：¥1.4848 24,000：¥1.4268 45,000：¥1.4036 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAD184218FVV1R2XTMA1 | 726-PXAD184218FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 250：¥901.668 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| BFP640ESDH6327XTSA1 | 726-BFP640ESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 5830 有库存 | 1：¥4.3964 10：¥3.596 100：¥2.1924 1,000：¥1.6936 3,000：¥1.45 9,000：¥1.3456 24,000：¥1.276 45,000：¥1.2412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTVA120501EAV1R250XTMA1 | 726-PTVA120501EAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥445.8692 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFU580GX | 771-BFU580GX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 1925 有库存 | 1：¥6.2988 10：¥5.1736 100：¥3.3408 1,000：¥2.668 2,000：¥2.262 10,000：¥2.1808 25,000：¥2.088 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 0910-60M | 494-0910-60M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,657.0032 2：¥2,593.0756 5：¥2,555.074 10：¥2,518.9052 25：¥2,484.3952 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFS 17S H6327 | 726-BFS17SH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3345 有库存 | 1：¥3.7932 10：¥2.842 100：¥1.5428 1,000：¥1.15304 3,000：¥0.99296 9,000：¥0.93264 24,000：¥0.85724 48,000：¥0.82708 99,000：¥0.7888 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7LS250P:11 | 771-BLF2425M7LS250P1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 13dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,277.7632 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BFR 182 E6327 | 726-BFR182E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 9690 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.4824 100：¥1.14492 1,000：¥0.87928 3,000：¥0.75052 9,000：¥0.68208 24,000：¥0.63684 48,000：¥0.57652 99,000：¥0.55332 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85015-E | 511-PD85015-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 288 有库存 | 1：¥154.8716 5：¥153.2708 10：¥142.8888 25：¥136.4392 100：¥122.032 250：¥116.4176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF477FL | 494-ARF477FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥741.7272 2：¥718.7476 5：¥718.5156 10：¥695.3852 25：¥669.146 50：¥660.1212 100：¥604.6732 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| SD2931-12MR | 511-SD2931-12MR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIST | 数据表 | 无库存 | 50：¥534.6788 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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