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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFP640H6327XTSA1 | 726-BFP640H6327XTSA1 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 528 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.9464 100：¥1.798 1,000：¥1.392 3,000：¥1.1948 9,000：¥1.1078 24,000：¥1.04632 45,000：¥1.02428 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRF6VP3450HR5 | 841-MRF6VP3450HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H | 数据表 | 102 有库存 | 1：¥1,414.5852 5：¥1,383.0332 10：¥1,354.7408 25：¥1,334.7192 50：¥1,286.2544 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 460 H6327 | 726-BFP460H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3916 有库存 | 1：¥3.4916 10：¥2.6448 100：¥1.4384 1,000：¥1.07648 3,000：¥0.92568 9,000：¥0.8642 24,000：¥0.79576 45,000：¥0.7656 99,000：¥0.73544 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550XVL | 771-BFU550XVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.03124 30,000：¥0.97092 50,000：¥0.94772 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | MAGX-011086 | 937-MAGX-011086新产品 | .[^>]*/1183" target="_blank"> | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 M/A-COM Technology Solutions | 数据表 | 108 有库存 | 1：¥158.5024 10：¥146.6008 25：¥134.85 50：¥129.3052 100：¥125.2104 250：¥114.898 500：¥109.3648 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PXAC210552MDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552MDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥218.5788 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| DU2820S | 937-DU2820S新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 350 有库存 | 1：¥293.886 5：¥264.4568 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFU520YX | 771-BFU520YX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 5733 有库存 | 1：¥5.3128 10：¥4.64 100：¥2.8072 1,000：¥2.2504 3,000：¥2.204 9,000：¥2.1344 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2018 | 772-TGF2018新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm | 数据表 | 100 有库存 | 100：¥44.2192 300：¥41.3308 500：¥38.6048 1,000：¥36.0992 2,500：¥35.9484 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BFU790F,115 | 771-BFU790F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 2479 有库存 | 1：¥4.6284 10：¥3.828 100：¥2.3316 1,000：¥1.8096 3,000：¥1.5428 9,000：¥1.4384 24,000：¥1.3572 45,000：¥1.3224 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57030S-E | 511-PD57030S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400：¥258.9236 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | BFR 183 E6327 | 726-BFR183E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW | 数据表 | 14482 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.3084 100：¥0.986 1,000：¥0.75864 3,000：¥0.62988 9,000：¥0.57652 24,000：¥0.53824 48,000：¥0.48488 99,000：¥0.46284 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH40180PP | 941-CGH40180PP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt | 数据表 | 73 有库存 | 1：¥3,269.2744 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550WX | 771-BFU550WX新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | 数据表 | 6324 有库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3872 100：¥2.0648 1,000：¥1.6008 3,000：¥1.3688 9,000：¥1.276 24,000：¥1.2064 45,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB092707FHV1R250XTMA1 | 726-PTFB092707FHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥659.5876 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFU730LXZ | 771-BFU730LXZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 SiGe:C MMIC Transistor | 数据表 | 9846 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.784 100：¥1.508 1,000：¥1.12984 2,500：¥0.97788 10,000：¥0.9106 20,000：¥0.83404 50,000：¥0.80388 100,000：¥0.77372 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF475FL | 494-ARF475FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥730.7304 2：¥708.0524 5：¥707.8204 10：¥684.9916 25：¥659.2048 50：¥650.2612 100：¥595.6484 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1010 | 772-QPD1010新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN | 数据表 | 98 有库存 | 1：¥155.8576 25：¥134.7688 100：¥116.5684 250：¥108.4484 500：¥100.8736 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT09S220-02NR3 | 841-AFT09S220-02NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHz 30W OM780-2L | 数据表 | 无库存 | 250：¥812.0232 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| BFP620H7764XTSA1 | 726-BFP620H7764XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5260 有库存 | 1：¥4.2456 10：¥3.5148 100：¥2.1344 1,000：¥1.6588 3,000：¥1.4152 9,000：¥1.3108 24,000：¥1.2412 45,000：¥1.218 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MX0912B351Y | 974-MX0912B351Y新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,754.3064 2：¥4,362.7368 5：¥3,915.2784 10：¥3,467.82 25：¥3,132.2204 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NSVF3007SG3T1G | 863-NSVF3007SG3T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN | 数据表 | 3000 有库存 | 1：¥4.2456 10：¥3.5264 100：¥2.2736 1,000：¥1.8212 3,000：¥1.5428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G6001528-SG | 772-T2G6001528-SG新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥802.0124 25：¥723.8284 100：¥653.2192 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR18N50 | 747-IXZR18N50新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥450.4164 5：¥433.5848 10：¥423.8756 25：¥397.4044 50：¥384.2848 100：¥378.9024 250：¥354.1712 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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