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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFP640H6327XTSA1 | 726-BFP640H6327XTSA1 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 528 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | MRF6VP3450HR5 | 841-MRF6VP3450HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H | 数据表 | 102 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFP 460 H6327 | 726-BFP460H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3916 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU550XVL | 771-BFU550XVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 | |
 | MAGX-011086 | 937-MAGX-011086新产品 | .[^>]*/1183" target="_blank"> | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 M/A-COM Technology Solutions | 数据表 | 108 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | PXAC210552MDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552MDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 | |
| DU2820S | 937-DU2820S新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 350 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | BFU520YX | 771-BFU520YX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 5733 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | TGF2018 | 772-TGF2018新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm | 数据表 | 100 有库存 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 | |
 | BFU790F,115 | 771-BFU790F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 2479 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD57030S-E | 511-PD57030S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 | |
 | BFR 183 E6327 | 726-BFR183E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW | 数据表 | 14482 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | CGH40180PP | 941-CGH40180PP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt | 数据表 | 73 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU550WX | 771-BFU550WX新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | 数据表 | 6324 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTFB092707FHV1R250XTMA1 | 726-PTFB092707FHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | BFU730LXZ | 771-BFU730LXZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 SiGe:C MMIC Transistor | 数据表 | 9846 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | ARF475FL | 494-ARF475FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 10 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | QPD1010 | 772-QPD1010新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN | 数据表 | 98 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| AFT09S220-02NR3 | 841-AFT09S220-02NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHz 30W OM780-2L | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
| BFP620H7764XTSA1 | 726-BFP620H7764XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5260 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MX0912B351Y | 974-MX0912B351Y新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | NSVF3007SG3T1G | 863-NSVF3007SG3T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN | 数据表 | 3000 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | T2G6001528-SG | 772-T2G6001528-SG新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN | 数据表 | 5 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | IXZR18N50 | 747-IXZR18N50新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 | 数据表 | 30 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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