图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | 供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS | |
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PH3135-5S | 937-PH3135-5S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1:¥1,608.8319 | 最低: 1 倍数: 1 | ||
CGH40120P | 941-CGH40120P新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt | 数据表 | 无库存 | 250:¥2,316.6351 | 最低: 250 倍数: 250 | 详细信息 | |
PTFB092707FHV1R0XTMA1 | 726-PTFB092707FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50:¥779.7114 100:¥726.0084 | 最低: 50 倍数: 50 | 详细信息 | |
MRF6V2150NR1 | 841-MRF6V2150NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W | 数据表 | 258 有库存 | 1:¥419.4918 5:¥398.2329 10:¥391.4235 25:¥354.7791 100:¥339.8616 250:¥314.0865 500:¥302.6907 | 最低: 1 倍数: 1 | ||
MT3S111(TE85L,F) | 757-MT3S111TE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | 详细信息 | ||
MRF151A | 937-MRF151A新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 16 有库存 | 1:¥569.5794 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
MMBFJ211 | 512-MMBFJ211新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 8836 有库存 | 1:¥3.1356 10:¥2.34 100:¥1.2753 1,000:¥0.95589 3,000:¥0.819 9,000:¥0.7722 24,000:¥0.70317 45,000:¥0.68094 99,000:¥0.65052 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
PD55008TR-E | 511-PD55008TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1:¥120.1707 10:¥110.4597 25:¥105.8733 100:¥93.3192 250:¥88.7328 600:¥82.9998 1,200:¥76.1085 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 |