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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF510,215 | 771-BF510215 新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 2780 有库存 | 1：¥6.3531 10：¥5.2182 100：¥3.3696 1,000：¥2.691 3,000：¥2.2815 9,000：¥2.1996 24,000：¥2.106 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PXFC192207FHV3R0XTMA1 | 726-PXFC192207FHV3R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | CGHV96100F2 | 941-CGHV96100F2新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | QPD1009 | 772-QPD1009新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥237.1356 25：¥205.0776 100：¥177.3954 250：¥164.9934 500：¥153.4455 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFP 540ESD H6327 | 726-BFP540ESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1169 有库存 | 1：¥4.5162 10：¥3.7323 100：¥2.2815 1,000：¥1.755 3,000：¥1.4976 9,000：¥1.404 24,000：¥1.3221 45,000：¥1.287 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1304LR5 | 841-MMRF1304LR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V | 数据表 | 无库存 | 1：¥591.6105 5：¥574.3179 10：¥562.0095 25：¥538.4457 100：¥498.9699 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BLF2425M7L140,112 | 771-BLF2425M7L140112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.45GHz 65V 17.5dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥915.642 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | PMBF4391,215 | 771-PMBF4391215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 7961 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.3985 100：¥1.2987 1,000：¥0.9711 3,000：¥0.84123 9,000：¥0.78741 24,000：¥0.71955 45,000：¥0.69615 99,000：¥0.66573 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA120251EAV2R250XTMA1 | 726-PTVA120251EAV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥415.1394 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | AFT09S282NR3 | 841-AFT09S282NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2 | 数据表 | 无库存 | 250：¥901.4148 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF1513NT1 | 841-MRF1513NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5 | 数据表 | 467 有库存 | 1：¥71.2881 10：¥65.403 25：¥59.436 100：¥53.469 250：¥49.0347 500：¥44.6004 1,000：¥40.1544 2,000：¥39.1599 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | DSC5G02C0L | 667-DSC5G02C0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.6793 10：¥1.7433 100：¥0.819 500：¥0.6201 1,000：¥0.49725 3,000：¥0.38259 9,000：¥0.29835 24,000：¥0.27495 45,000：¥0.22932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA120251EAV1XWSA1 | 726-PTVA120251EAV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥479.3958 100：¥444.2841 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | PRF947,115 | 771-PRF947115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ | 数据表 | 28973 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.7963 100：¥1.5093 1,000：¥1.13958 3,000：¥0.97929 9,000：¥0.91845 24,000：¥0.84123 45,000：¥0.81081 99,000：¥0.78039 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC201602FCV1XWSA1 | 726-PXAC201602FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥567.9765 100：¥526.4415 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | PTFB091507FHV1R250XTMA1 | 726-PTFB091507FHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥437.4747 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | CGH60015D-GP4 | 941-CGH60015D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 250 有库存 | 10：¥393.8688 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | TGF3021-SM | 772-TGF3021-SM新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans | 数据表 | 17 有库存 | 1：¥1,042.1658 25：¥901.3329 100：¥779.5593 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF904A,215 | 771-BF904A215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.3641 10：¥3.5685 100：¥2.1762 1,000：¥1.6848 3,000：¥1.4391 9,000：¥1.3338 24,000：¥1.2753 45,000：¥1.2402 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP6300HSR5 | 841-MRFE6VP6300HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 | 数据表 | 无库存 | 50：¥663.0507 100：¥616.6251 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | DU28200M | 937-DU28200M新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥1,871.2863 | 最低： 1 倍数： 1 |
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