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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
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 | ARF476FL | 494-ARF476FL 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 2 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | 2N3819 | 610-2N3819新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF5S9080NBR1 | 841-MRF5S9080NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV5 900MHZ 80W | 数据表 | 无库存 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 | |
 | BFP740FESDH6327XTSA1 | 726-BFP740FESDH6327X新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BI | 数据表 | 45 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | A2T21S260W12NR3 | 841-A2T21S260W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | MRF158 | 937-MRF158新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRFE6VP61K25HR5 | 841-MRFE6VP61K25HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H | 数据表 | 54 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRFE6VP100HSR5 | 841-MRFE6VP100HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM | 数据表 | 56 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFP 420 H6327 | 726-BFP420H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BLP05H6150XRY | 771-BLP05H6150XRY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 100 倍数： 100 | ||
 | PD57060TR-E | 511-PD57060TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 无库存 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 | |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFR92PE6327HTSA1 | 726-BFR92PE6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A | 数据表 | 4435 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | NE5550979A-EV04-A | 551-NE5550979A-EV04A新产品 | CEL | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz | 数据表 | 2 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BF 2040 E6814 | 726-BF2040E6814新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V | 数据表 | 3194 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF166C | 937-MRF166C新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB | 数据表 | 70 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | NPTB00025B | 937-NPTB00025B新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 275X2-102N06A-00 | 747-275X2-102N06A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275X2 1000V 6A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 71 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU590GX | 771-BFU590GX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 5462 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | HFA3127RZ | 968-HFA3127RZ新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3 | 数据表 | 173 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | TGF2941 | 772-TGF2941新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | AFT20S015NR1 | 841-AFT20S015NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2 | 数据表 | 无库存 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 | |
 | CGH27060F | 941-CGH27060F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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