图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | 供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS | |
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ARF476FL | 494-ARF476FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 2 有库存 | 1:¥776.0376 2:¥752.0175 5:¥751.7835 10:¥727.5411 25:¥700.0812 50:¥690.5925 100:¥632.6073 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
2N3819 | 610-2N3819新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK | 数据表 | 无库存 | 1:¥6.5754 10:¥5.6979 100:¥3.9546 1,000:¥2.9367 2,500:¥2.4804 10,000:¥2.3985 25,000:¥2.2932 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
MRF5S9080NBR1 | 841-MRF5S9080NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV5 900MHZ 80W | 数据表 | 无库存 | 500:¥317.4561 | 最低: 500 倍数: 500 | 详细信息 | |
BFP740FESDH6327XTSA1 | 726-BFP740FESDH6327X新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BI | 数据表 | 45 有库存 | 1:¥3.8961 10:¥3.1824 100:¥1.9422 1,000:¥1.4976 3,000:¥1.287 9,000:¥1.1934 24,000:¥1.13256 45,000:¥1.10097 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
A2T21S260W12NR3 | 841-A2T21S260W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250:¥506.0835 | 最低: 250 倍数: 250 | ||
MRF158 | 937-MRF158新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB | 数据表 | 无库存 | 1:¥206.5401 10:¥191.0025 25:¥183.2805 50:¥175.5585 100:¥163.1682 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
MRFE6VP61K25HR5 | 841-MRFE6VP61K25HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H | 数据表 | 54 有库存 | 1:¥1,588.7196 5:¥1,553.3037 10:¥1,521.5499 25:¥1,499.0625 50:¥1,444.6809 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
MRFE6VP100HSR5 | 841-MRFE6VP100HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM | 数据表 | 56 有库存 | 1:¥687.9951 5:¥674.6805 10:¥652.3452 25:¥624.7332 50:¥616.1688 100:¥573.1011 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
BFP 420 H6327 | 726-BFP420H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1:¥3.2175 10:¥2.6442 100:¥1.6029 1,000:¥1.2519 3,000:¥1.06353 9,000:¥0.98631 24,000:¥0.94068 48,000:¥0.91845 99,000:¥0.87984 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
BLP05H6150XRY | 771-BLP05H6150XRY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100:¥557.7273 | 最低: 100 倍数: 100 | ||
PD57060TR-E | 511-PD57060TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 无库存 | 600:¥310.2606 | 最低: 600 倍数: 600 | 详细信息 | |
BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | |||
BFR92PE6327HTSA1 | 726-BFR92PE6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A | 数据表 | 4435 有库存 | 1:¥2.9016 10:¥2.1762 100:¥1.1817 1,000:¥0.88686 3,000:¥0.76518 9,000:¥0.71136 24,000:¥0.65754 48,000:¥0.63531 99,000:¥0.60489 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
NE5550979A-EV04-A | 551-NE5550979A-EV04A新产品 | CEL | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz | 数据表 | 2 有库存 | 1:¥956.1825 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
BF 2040 E6814 | 726-BF2040E6814新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V | 数据表 | 3194 有库存 | 1:¥3.4398 10:¥2.4219 100:¥1.10916 1,000:¥0.85644 3,000:¥0.72657 9,000:¥0.66573 24,000:¥0.6201 48,000:¥0.55809 99,000:¥0.53586 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
MRF166C | 937-MRF166C新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB | 数据表 | 70 有库存 | 1:¥255.2589 10:¥254.6505 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
NPTB00025B | 937-NPTB00025B新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 1:¥1,346.0733 10:¥1,296.2781 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
275X2-102N06A-00 | 747-275X2-102N06A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275X2 1000V 6A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 71 有库存 | 1:¥224.2773 5:¥217.6317 10:¥203.931 25:¥188.6391 50:¥184.9653 100:¥173.3355 250:¥157.8096 500:¥147.8646 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
BFU590GX | 771-BFU590GX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 5462 有库存 | 1:¥6.3531 10:¥5.3586 100:¥4.1184 500:¥3.6387 1,000:¥2.8665 2,000:¥2.5506 10,000:¥2.457 25,000:¥2.3751 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
HFA3127RZ | 968-HFA3127RZ新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3 | 数据表 | 173 有库存 | 1:¥61.5069 10:¥55.6101 50:¥53.0127 100:¥46.0512 200:¥43.9803 500:¥40.0842 1,000:¥34.9596 2,500:¥33.6609 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
TGF2941 | 772-TGF2941新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50:¥181.5255 100:¥160.407 250:¥149.1633 500:¥138.762 | 最低: 50 倍数: 50 | 详细信息 | |
BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||||
AFT20S015NR1 | 841-AFT20S015NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2 | 数据表 | 无库存 | 500:¥155.3643 | 最低: 500 倍数: 500 | 详细信息 | |
CGH27060F | 941-CGH27060F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 1:¥1,448.1909 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 |