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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PXAC243502FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC243502FVV1R0 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,041.7797 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | ARF469BG | 494-ARF469BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 9 有库存 | 1：¥401.4387 2：¥390.5811 5：¥379.7937 10：¥368.9361 25：¥342.8451 50：¥334.5147 100：¥319.5972 250：¥292.0554 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MW6S004NT1 | 841-MW6S004NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N | 数据表 | 1290 有库存 | 1：¥84.7548 10：¥77.7231 25：¥70.6797 100：¥63.5661 250：¥58.2894 500：¥53.0127 1,000：¥47.736 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD57060S-E | 511-PD57060S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 无库存 | 1：¥413.7588 5：¥404.5041 10：¥388.674 25：¥376.1199 100：¥348.5898 250：¥338.5629 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT23S160W02GSR3 | 841-AFT23S160W02GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,116.1332 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLX13C | 974-BLX13C新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC241702FCV1XWSA1 | 726-PXAC241702FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥568.0467 100：¥526.4415 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MRF275G | 937-MRF275G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB | 数据表 | 19 有库存 | 1：¥1,098.9225 10：¥1,036.737 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2819-FS | 772-TGF2819-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | SD57030-01 | 511-SD57030-01新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp | 数据表 | 无库存 | 50：¥395.8578 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFP405FH6327XTSA1 | 726-BFP405FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2297 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.5038 100：¥1.5327 1,000：¥1.1817 3,000：¥1.00971 9,000：¥0.94068 24,000：¥0.89505 45,000：¥0.87165 99,000：¥0.83421 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH3135-20M | 937-PH3135-20M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,759.2939 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF557T | 974-MRF557T新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.7586 25：¥25.7751 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU520XRVL | 771-BFU520XRVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 4000 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.9016 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 2,500：¥1.07055 10,000：¥0.9945 25,000：¥0.91845 50,000：¥0.84123 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBF5484 | 512-MMBF5484新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 20201 有库存 | 1：¥3.2877 10：¥2.1294 100：¥0.91026 1,000：¥0.70317 3,000：¥0.53586 9,000：¥0.47385 24,000：¥0.44343 45,000：¥0.3978 99,000：¥0.38259 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLA1011-200R,112 | 771-BLA1011-200R112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS LDMOS NCH 75V | 数据表 | 无库存 | 60：¥2,555.5374 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| PXAC261212FCV1XWSA1 | 726-PXAC261212FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥588.9312 100：¥548.3907 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | AFT20S015GNR1 | 841-AFT20S015GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G | 数据表 | 183 有库存 | 1：¥181.2915 5：¥173.2653 10：¥167.2164 25：¥145.9575 100：¥142.8102 250：¥136.773 500：¥125.8335 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BF1109R,215 | 771-BF1109R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.3696 100：¥2.0592 1,000：¥1.5912 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2636 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.17 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB182503ELV1R0XTMA1 | 726-PTFB182503ELV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU520AR | 771-BFU520AR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.5272 100：¥1.5327 1,000：¥1.1934 3,000：¥1.0179 9,000：¥0.94887 24,000：¥0.89505 45,000：¥0.87165 99,000：¥0.84123 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF178XRS,112 | 771-BLF178XRS112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3-128MHz 110V 28dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,498.6764 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| BF1208,115 | 771-BF1208115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.2065 10：¥4.2705 100：¥2.7495 1,000：¥2.1996 4,000：¥1.872 8,000：¥1.8018 24,000：¥1.7199 48,000：¥1.6965 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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