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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2735GN-35M | 494-2735GN-35M 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 5 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | BLC8G27LS-140AVY | 771-BLC8G27LS-140AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥588.9312 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | AFV121KHSR5 | 841-AFV121KHSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,896.7084 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFP840ESDH6327XTSA1 | 726-BFP840ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 5221 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PXAC182908FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC182908FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥919.9242 100：¥873.9549 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFB213208SVV2R250XTMA1 | 726-PTFB213208SVV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PD85035S-E | 511-PD85035S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 400：¥190.1601 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | CGH55030F1 | 941-CGH55030F1新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt | 数据表 | 58 有库存 | 1：¥940.9608 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLP05H6350XRY | 771-BLP05H6350XRY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 100 倍数： 100 | ||
 | PTVA120501EAV1R0XTMA1 | 726-PTVA120501EAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥507.1599 100：¥470.0592 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF1518NT1 | 841-MRF1518NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N | 数据表 | 1111 有库存 | 1：¥81.7713 10：¥74.9619 25：¥68.1525 100：¥61.3431 250：¥56.2185 500：¥51.0939 1,000：¥46.0512 2,000：¥44.9046 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MHT1004GNR3 | 841-MHT1004GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,179.009 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BLA6G1011-200R,112 | 771-BLA6G1011-200R1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS PWR LDMOS 200W | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,096.3358 5：¥2,045.9205 10：¥1,995.0606 25：¥1,967.1327 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T20H160W04NR3 | 841-A2T20H160W04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 28 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥534.0816 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BF1206,115 | 771-BF1206115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MCH4009-TL-H | 863-MCH4009-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER | 数据表 | 4356 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥2.0007 100：¥0.91845 1,000：¥0.70317 3,000：¥0.60489 9,000：¥0.55107 24,000：¥0.51246 45,000：¥0.45864 99,000：¥0.44343 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2304 | 494-2304新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,150.7886 2：¥1,123.0947 5：¥1,106.6445 10：¥1,090.9665 25：¥1,076.049 50：¥1,002.2337 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MW7IC2425GNR1 | 841-MW7IC2425GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G | 数据表 | 无库存 | 500：¥598.338 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | AFT18S290-13SR3 | 841-AFT18S290-13SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S | 数据表 | 无库存 | 250：¥904.0941 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PTFA220121MV4XUMA1 | 726-PTFA220121MV4XUM新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 500：¥74.3535 1,000：¥68.1525 | 最低： 500 倍数： 500 | |
 | BLF2425M7LS100J | 771-BLF2425M7LS100J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥695.1087 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTFB192503ELV1R0XTMA1 | 726-PTFB192503ELV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFY64004PZZZA1 | 726-BFY64004PZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |
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