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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF240A | 974-MRF240A 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BF545A,215 | 771-BF545A-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 30V 10mA | 数据表 | 3076 有库存 | 1：¥6.0489 10：¥4.9842 100：¥3.2175 1,000：¥2.574 3,000：¥2.1762 9,000：¥2.0943 24,000：¥2.0124 45,000：¥1.9773 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TCS1200 | 494-TCS1200新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 1：¥5,061.4902 5：¥4,981.5558 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | CGH35240F | 941-CGH35240F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF1511NT1 | 841-MRF1511NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N | 数据表 | 1482 有库存 | 1：¥83.3742 10：¥76.6467 25：¥73.2771 100：¥64.7946 250：¥57.8331 500：¥55.9143 1,000：¥51.3279 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFS 17P E6327 | 726-BFS17PE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 796 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.0709 100：¥0.88686 1,000：¥0.68094 3,000：¥0.52065 9,000：¥0.45864 24,000：¥0.43641 48,000：¥0.38259 99,000：¥0.36738 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF2040E6814HTSA1 | 726-BF2040E6814HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V | 数据表 | 11945 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.4219 100：¥1.10916 1,000：¥0.85644 3,000：¥0.72657 9,000：¥0.66573 24,000：¥0.6201 48,000：¥0.55809 99,000：¥0.53586 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2025 | 772-TGF2025新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm | 数据表 | 无库存 | 100：¥46.6596 300：¥43.6059 500：¥40.7745 1,000：¥38.0952 2,500：¥35.802 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BFP 740 H6327 | 726-BFP740H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5171 有库存 | 1：¥3.8961 10：¥3.1941 100：¥1.9422 1,000：¥1.5093 3,000：¥1.287 9,000：¥1.1934 24,000：¥1.13256 45,000：¥1.10916 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | HFA3127BZ96 | 968-HFA3127BZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MILEL | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥33.6609 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 |
 | PTFC262157SHV1R250XTMA1 | 726-PTFC262157SHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥741.9204 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | AFT26H250-24SR6 | 841-AFT26H250-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz | 数据表 | 无库存 | 150：¥847.8639 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | PXAC210552FCV1R2XTMA1 | 726-PXAC210552FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥334.5849 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MAX2601ESA+ | 700-MAX2601ESA新产品 | Maxim Integrated | 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | 数据表 | 170 有库存 | 1：¥31.2156 10：¥29.6829 25：¥24.4764 50：¥23.2596 100：¥22.2651 500：¥19.89 1,000：¥19.4337 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD2941-10W | 511-SD2941-10W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥605.2293 5：¥594.1377 10：¥578.7639 25：¥567.4383 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 150-501N04A-00 | 747-150-501N04A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 500V 4A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 40 有库存 | 1：¥176.8572 5：¥171.5805 10：¥160.7931 25：¥148.7772 50：¥145.8756 100：¥136.6911 250：¥124.4529 500：¥116.5788 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF464 | 974-MRF464新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MZ0912B50Y | 974-MZ0912B50Y新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,682.0495 2：¥2,461.212 5：¥2,208.7845 10：¥1,956.3453 25：¥1,767.0276 50：¥1,703.9178 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | A2T18S162W31SR3 | 841-A2T18S162W31SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥765.3321 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | DSC5501T0L | 667-DSC5501T0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.3696 10：¥1.6614 100：¥1.14777 500：¥0.94068 1,000：¥0.73476 3,000：¥0.55809 9,000：¥0.51246 24,000：¥0.48204 45,000：¥0.4212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR193E6327HTSA1 | 726-BFR193E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 15000 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.4219 100：¥1.04013 1,000：¥0.80262 3,000：¥0.61191 9,000：¥0.54288 24,000：¥0.50544 48,000：¥0.45162 99,000：¥0.43641 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1310HR5 | 841-MMRF1310HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥851.3856 5：¥834.7833 10：¥807.2532 25：¥773.136 50：¥762.5007 100：¥709.1838 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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