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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFR93AE6327HTSA1 | 726-BFR93AE6327HTSA1 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 975 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥2.1996 100：¥1.1934 1,000：¥0.89505 3,000：¥0.7722 9,000：¥0.71955 24,000：¥0.66573 48,000：¥0.63531 99,000：¥0.61191 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRF172 | 974-MRF172新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥436.0239 10：¥363.3552 25：¥327.015 50：¥290.6748 100：¥261.612 200：¥203.4747 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | HFA3102BZ96 | 968-HFA3102BZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 15 | 数据表 | 无库存 | 1：¥42.1434 10：¥35.802 100：¥31.0518 250：¥29.4489 500：¥26.4654 1,000：¥22.3353 2,500：¥21.1887 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAD214218FVV1R2XTMA1 | 726-PXAD214218FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 250：¥909.441 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PH2729-25M | 937-PH2729-25M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥1,468.9233 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF13750H-915MHZ | 771-MRF13750H-915MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750W 915MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MDS500L | 494-MDS500L新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,193.046 5：¥3,929.8311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1014SR | 772-QPD1014SR新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN | 数据表 | 90 有库存 | 1：¥443.664 25：¥390.1248 100：¥344.2257 200：¥313.6302 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF1519 | 494-ARF1519新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 23 有库存 | 1：¥5,099.4333 5：¥4,779.2277 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF511,215 | 771-BF511-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 20V 10MA | 数据表 | 1360 有库存 | 1：¥6.0489 10：¥5.0076 100：¥3.2409 1,000：¥2.5974 3,000：¥2.1879 9,000：¥2.106 24,000：¥2.0241 45,000：¥1.989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 360L3 E6765 | 726-BFR360L3E6765新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor | 数据表 | 16883 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.4921 100：¥1.14777 1,000：¥0.87984 2,500：¥0.74997 10,000：¥0.68796 15,000：¥0.64233 45,000：¥0.5733 90,000：¥0.55107 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB241402FV1R0XTMA1 | 726-PTFB241402FV1R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 OTHERS | 数据表 | 无库存 | 50：¥594.5121 100：¥553.5972 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU768F,115 | 771-BFU768F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor | 数据表 | 2570 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.5974 100：¥1.5795 1,000：¥1.2285 3,000：¥1.04832 9,000：¥0.9711 24,000：¥0.92547 45,000：¥0.90207 99,000：¥0.86463 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | TGF2023-2-05 | 772-TGF2023-2-05新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BFT46,215 | 771-BFT46215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.5864 10：¥3.8025 100：¥2.3166 1,000：¥1.7901 3,000：¥1.5327 9,000：¥1.4274 24,000：¥1.3455 45,000：¥1.3104 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA041501FV4R0XTMA1 | 726-PTFA041501FV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 50：¥790.2648 100：¥735.8832 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | BF2040WH6814XTSA1 | 726-BF2040WH6814XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 8940 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.3166 100：¥0.9945 1,000：¥0.76518 3,000：¥0.58149 9,000：¥0.52065 24,000：¥0.48204 48,000：¥0.42822 99,000：¥0.41301 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF463BP1G | 494-ARF463BP1G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥275.7573 5：¥263.367 10：¥255.1068 25：¥234.4563 50：¥227.4129 100：¥216.6372 250：¥199.0404 500：¥183.3624 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTMA210152MV1R500AUMA1 | 726-PTMA210152MV1R50新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD IC | 数据表 | 无库存 | 500：¥178.4601 | 最低： 500 倍数： 500 | |
 | MAX2602ESA+T | 700-MAX2602ESAT新产品 | Maxim Integrated | 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥20.2761 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 |
 | PTFB211503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB211503FLV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥600.0228 100：¥558.7218 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | TGF1350-SCC | 772-TGF1350-SCC新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18.0GHz 0.3mm MESFET | 数据表 | 无库存 | 400：¥54.4635 800：¥48.4965 1,200：¥43.1379 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | PD85025-E | 511-PD85025-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥219.0825 5：¥216.8595 10：¥202.0941 25：¥192.9915 100：¥172.575 250：¥164.619 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1020-04NR3 | 841-MMRF1020-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,680.6582 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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