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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PXAD214218FVV1R0XTMA1 | 726-PXAD214218FVV1R0 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,029.0852 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | BLF2425M8LS140U | 771-BLF2425M8LS140U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥915.642 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BLA6G1011LS-200RG, | 771-BLA6G1011LS200RG新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 20：¥1,995.0606 40：¥1,967.1327 | 最低： 20 倍数： 20 | 详细信息 |
 | BFP650H6327XTSA1 | 726-BFP650H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 4603 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.9952 100：¥1.8252 1,000：¥1.4157 3,000：¥1.2051 9,000：¥1.12437 24,000：¥1.06353 45,000：¥1.04013 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF154 | 937-MRF154新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,497.5629 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NPT1012B | 937-NPT1012B新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN | 数据表 | 29 有库存 | 1：¥1,448.4249 10：¥1,394.8038 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | LET20045C | 511-LET20045C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR trans Ldmost 2.0 GHz N-Ch ENH | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥722.1123 5：¥708.8796 10：¥676.9737 25：¥654.4161 100：¥609.3594 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MS3022 | 494-MS3022新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
 | A2V09H300-04NR3 | 841-A2V09H300-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥715.689 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | VRF3933MP | 494-VRF3933MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 10：¥1,528.5933 25：¥1,507.6269 50：¥1,404.2925 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5600HSR5 | 841-MRFE6VP5600HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,295.8218 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFA091201F V4 R250 | 726-PTFA091201FV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BFS 483 H6327 | 726-BFS483H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2141 有库存 | 1：¥4.9725 10：¥4.095 100：¥2.6442 1,000：¥2.1177 3,000：¥1.7901 9,000：¥1.7199 24,000：¥1.6497 45,000：¥1.6263 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTVA093002NDV1R5XUMA1 | 726-PTVA093002NDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥430.5834 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | CGHV27060MP | 941-CGHV27060MP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt | 数据表 | 217 有库存 | 1：¥840.8322 250：¥840.8322 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF9045LR1 | 974-MRF9045LR1新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 720FESD H6327 | 726-BFP720FESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3462 100：¥2.0475 1,000：¥1.5795 3,000：¥1.3455 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1934 45,000：¥1.16298 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M6LS180P,11 | 771-BLF2425M6LS180P1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,098.162 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFU760F,115 | 771-BFU760F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 64356 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7846 100：¥1.6965 1,000：¥1.3104 3,000：¥1.11735 9,000：¥1.04013 24,000：¥0.98631 45,000：¥0.96408 99,000：¥0.92547 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | DSC2G02D0L | 667-DSC2G02D0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.5272 10：¥1.6497 100：¥0.78039 500：¥0.58851 1,000：¥0.47385 3,000：¥0.35217 9,000：¥0.28314 24,000：¥0.26793 45,000：¥0.21411 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLA6H1011-600,112 | 771-BLA6H1011-60011新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS AVIONICS PWR LDMOS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,203.225 5：¥3,949.9551 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1016HR5 | 841-MMRF1016HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,566.9108 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFS20,235 | 771-BFS20235新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ | 数据表 | 8225 有库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.223 100：¥1.2051 1,000：¥0.90207 2,500：¥0.78039 10,000：¥0.72657 20,000：¥0.66573 50,000：¥0.64233 100,000：¥0.6201 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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