Toshiba 产品线

2SK3756(TE12L,F)

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS

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3SK291(TE85L,F)

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V

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2SC5087YTE85LF

射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V

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RFM04U6P(TE12L,F)

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V

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RFM08U9X(TE12L,Q)

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V

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2SC5087-O(TE85L,F)

射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz

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3SK293(TE85L,F)

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V

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MT3S20TU(TE85L)

射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V

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2SK3476(TE12L,Q)

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS

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2SC5108-Y,LF

射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor

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RFM03U3CT(TE12L)

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2.5A 7W 16V

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MT3S113TU,LF

射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW

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