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AFT09S220-02NR3

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHz 30W OM780-2L

AFT26P100-4WSR3

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ 100W NI780S-6

MRF5S9080NBR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV5 900MHZ 80W

A2T21S260W12NR3

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V

MRFE6VP61K25HR5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H

MRFE6VP100HSR5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM

AFT20S015NR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2

A2T18H455W23NR6

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 31.5 V

A2I25H060NR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V

MHT1001HR5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4GHZ HV6 40W

MMRF1014NT1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V

MRF6V2010GNR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN

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