Freescale / NXP 产品线

AFV141KGSR5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHz, 1000 W PEAK, 50 V

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AFT26H250-24SR6

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz

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MRF6V2150NBR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W

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AFT20S015GNR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G

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MRF7S24250NR3

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 250 W, 32 V

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AFT05MP075NR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4

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AFT05MS031GNR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V

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MMRF1007HR5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V

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MD7IC2012NR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14

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AFT21S240-12SR3

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V

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MRF1K50N-TF4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4

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AFT18H357-24NR6

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V

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