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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF314 | 937-MRF314 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥226.8864 10：¥216.099 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | A2T07H310-24SR6 | 841-A2T07H310-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,052.3331 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| AFV121KHR5 | 841-AFV121KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,896.7084 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MMRF1314HR5 | 841-MMRF1314HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,787.7921 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | A2T21H100-25SR3 | 841-A2T21H100-25SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥567.5085 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | LET9120 | 511-LET9120新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,319.5377 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFU520WX | 771-BFU520WX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 7805 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.6676 100：¥1.6263 1,000：¥1.2519 3,000：¥1.07055 9,000：¥1.00152 24,000：¥0.94887 45,000：¥0.92547 99,000：¥0.88686 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB193404FV1R0XTMA1 | 726-PTFB193404FV1R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,105.2756 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFC262808FVV1R250XTMA1 | 726-PTFC262808FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥971.0181 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | UF28150J | 937-UF28150J新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,060.6157 10：¥2,028.6396 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1010 | 772-QPD1010新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN | 数据表 | 130 有库存 | 1：¥157.2012 25：¥135.9306 100：¥117.5733 250：¥109.3833 500：¥101.7432 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV60040D | 941-CGHV60040D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt | 数据表 | 无库存 | 10：¥323.8794 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | BF1214,115 | 771-BF1214115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3228 100：¥2.0241 1,000：¥1.5678 3,000：¥1.3338 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1817 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85025C | 511-PD85025C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans. LDMOST family | 数据表 | 无库存 | 1：¥435.4857 5：¥425.6928 10：¥409.0905 25：¥395.8578 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH60008D-GP4 | 941-CGH60008D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt | 数据表 | 250 有库存 | 10：¥180.6831 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | CGH40180PP | 941-CGH40180PP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt | 数据表 | 76 有库存 | 1：¥3,297.4578 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA120501EAV1R250XTMA1 | 726-PTVA120501EAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥449.7129 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFR 93AW H6327 | 726-BFR93AWH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 15031 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥2.1996 100：¥1.1934 1,000：¥0.89505 3,000：¥0.7722 9,000：¥0.72657 24,000：¥0.66573 48,000：¥0.64233 99,000：¥0.61191 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L250P,118 | 771-BLF2425M7L250P1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,288.7784 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | LET9060S | 511-LET9060S新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 400：¥338.7969 | 最低： 400 倍数： 400 | |
 | TGF2060 | 772-TGF2060新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm | 数据表 | 无库存 | 100：¥56.0664 300：¥52.4043 500：¥48.9528 1,000：¥45.747 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | SD2931-11W | 511-SD2931-11W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥541.9674 5：¥532.0224 10：¥518.2515 25：¥508.0725 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF151 | 974-MRF151新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥486.5094 10：¥462.1851 25：¥437.8608 50：¥413.5248 100：¥315.1629 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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