24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLF2425M9LS140J | 771-BLF2425M9LS140J 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 无库存 | 100：¥869.8248 | 最低： 100 倍数： 100 |  详细信息 | |
 | T2G6001528-Q3 | 772-T2G6001528-Q3新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥808.9263 25：¥730.0683 100：¥658.8504 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLM8G0710S-15PBY | 771-BLM8G0710S-15PBY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 1：¥266.5845 5：¥263.835 10：¥245.934 25：¥234.8424 100：¥209.9799 200：¥200.3391 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | SD2931-12W | 511-SD2931-12W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥541.9674 5：¥532.0224 10：¥518.2515 25：¥508.0725 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BLV32F | 974-BLV32F新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥731.5191 10：¥671.2407 25：¥602.3979 50：¥533.5551 100：¥481.9113 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
.JPG) | PD54008L-E | 511-PD54008L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥72.9729 10：¥66.0114 25：¥62.9577 100：¥54.6156 250：¥52.1703 500：¥47.5839 1,000：¥41.4648 3,000：¥39.9321 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBFJ305 | 512-MMBFJ305新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TO-236AB JFET | 数据表 | 2277 有库存 | 1：¥2.8314 10：¥2.1528 100：¥1.16298 1,000：¥0.87165 3,000：¥0.75699 9,000：¥0.70317 24,000：¥0.65052 45,000：¥0.62712 99,000：¥0.5967 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB183404FV2R250XTMA1 | 726-PTFB183404FV2R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,005.0651 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | A2T21S160-12SR3 | 841-A2T21S160-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥684.8595 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PD54003-E | 511-PD54003-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan | 数据表 | 无库存 | 400：¥59.8923 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLC8G27LS-160AVJ | 771-BLC8G27LS-160AVJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC8G27LS-160AV/DFM6F/REEL 13 | 数据表 | 无库存 | 100：¥678.2022 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 475-501N44A-00 | 747-475-501N44A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 44A 500V N Channel MOSFET | 数据表 | 42 有库存 | 1：¥370.6911 5：¥357.6924 10：¥346.6008 25：¥320.5917 50：¥310.5648 100：¥300.5496 250：¥286.5447 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR08N120B-00 | 747-IXZR08N120B-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1200V 8A RF MOSFET, with ISOPLUS-247B package | 数据表 | 89 有库存 | 1：¥236.5155 5：¥229.4019 10：¥215.0226 25：¥198.8883 50：¥194.9805 100：¥182.7423 250：¥166.374 500：¥155.8908 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1101R,215 | 771-BF1101R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.3696 100：¥2.0592 1,000：¥1.5912 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2636 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.17 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFV10700HSR5 | 771-AFV10700HSR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz | 数据表 | 43 有库存 | 1：¥2,695.212 5：¥2,532.816 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXFC192207SHV1R250XTMA1 | 726-PXFC192207SHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | TPV596 | 974-TPV596新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1212,215 | 771-BF1212新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3228 100：¥2.0241 1,000：¥1.5678 3,000：¥1.3338 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1817 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BF1100R,235 | 771-BF1100R235新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 14V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.2636 20,000：¥1.2051 50,000：¥1.17 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | MMRF1308HR5 | 841-MMRF1308HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,490.1939 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
