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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1 新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 1035MP | 494-1035MP新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥829.7406 100：¥803.4975 | 最低： 50 倍数： 1 |  详细信息 |
 | DME400A | 494-DME400A新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 25：¥2,372.0931 | 最低： 25 倍数： 1 | ||
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | BFU520R | 771-BFU520R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 2970 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.5272 100：¥1.5327 1,000：¥1.1934 3,000：¥1.0179 9,000：¥0.94887 24,000：¥0.89505 45,000：¥0.87165 99,000：¥0.84123 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBF5485 | 512-MMBF5485新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 9851 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.1996 100：¥0.94068 1,000：¥0.72657 3,000：¥0.55107 9,000：¥0.48906 24,000：¥0.45864 45,000：¥0.40599 99,000：¥0.38961 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CE3514M4 | 551-CE3514M4新产品 | CEL | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C | 数据表 | 245 有库存 | 1：¥9.1026 10：¥6.9498 100：¥5.0544 500：¥4.2939 1,000：¥3.5334 2,500：¥3.276 10,000：¥3.159 25,000：¥3.1239 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ASMA202 | 974-ASMA202新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥487.656 10：¥447.4899 25：¥401.6025 50：¥355.7034 100：¥297.2619 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFY740B01SAMB4SA1 | 726-BFY740B01SAMB4SA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | ARF463BG | 494-ARF463BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥253.7379 5：¥242.3304 10：¥234.7605 25：¥215.7129 50：¥209.2077 100：¥199.3446 250：¥183.1284 500：¥168.6672 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T1G6001032-SM | 772-T1G6001032-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 32Volt GaN 10 Watt Peak | 数据表 | 32 有库存 | 1：¥535.4622 25：¥473.1246 100：¥418.041 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF 998 E6327 | 726-BF998E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA | 数据表 | 1725 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.6208 100：¥1.4274 1,000：¥1.06353 3,000：¥0.91845 9,000：¥0.85644 24,000：¥0.78741 48,000：¥0.75699 99,000：¥0.72657 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NSVMMBTH10LT1G | 863-NSVMMBTH10LT1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 SS VHF XSTR SPCL TR | 数据表 | 5935 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.4219 100：¥1.3104 1,000：¥0.98631 3,000：¥0.84942 9,000：¥0.7956 24,000：¥0.73476 45,000：¥0.70317 99,000：¥0.67275 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF24301HR5 | 771-MRF24301HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 32V LDMOS 300 W CW 2400-2500 MHz | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | AT-31033-TR1G | 630-AT-31033-TR1G新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥3.159 100：¥2.0826 1,000：¥1.5327 3,000：¥1.3221 9,000：¥1.2168 24,000：¥1.16298 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 340L3 E6327 | 726-BFR340L3E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 12530 有库存 | 1：¥2.8314 10：¥2.106 100：¥1.14777 1,000：¥0.86463 2,500：¥0.74178 10,000：¥0.69615 15,000：¥0.63531 45,000：¥0.61191 90,000：¥0.58851 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC261212FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC261212FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥588.9312 100：¥548.3907 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTRA093818NFV1R5XUMA1 | 726-PTRA093818NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥602.8542 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BFT92W,115 | 771-BFT92W-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 PNP 35MA 15V 4GHZ | 数据表 | 5197 有库存 | 1：¥4.7385 10：¥3.9195 100：¥2.5272 1,000：¥1.872 3,000：¥1.7082 9,000：¥1.6497 24,000：¥1.5795 45,000：¥1.5561 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1017NR3 | 841-MMRF1017NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,176.4818 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | SD4933 | 511-SD4933新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥1,076.7393 5：¥1,055.6208 10：¥1,006.434 25：¥985.2453 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB182557SHV1R250XTMA1 | 726-PTFB182557SHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥775.125 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | SD2943W | 511-SD2943W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz | 数据表 | 无库存 | 50：¥958.1715 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | BF909R,215 | 771-BF909R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.212 10：¥3.4749 100：¥2.1294 1,000：¥1.6497 3,000：¥1.404 9,000：¥1.3104 24,000：¥1.2402 45,000：¥1.2051 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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