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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFP196WNH6327XTSA1 | 726-BFP196WNH6327XTS 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 5768 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.1228 100：¥0.97788 1,000：¥0.75052 3,000：¥0.63684 9,000：¥0.58348 24,000：¥0.54636 48,000：¥0.493 99,000：¥0.4698 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | LET9070CB | 511-LET9070CB新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥788.742 5：¥774.2536 10：¥739.4536 25：¥714.8036 100：¥665.5732 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| GTVA261701FAV1R2XTMA1 | 726-GTVA261701FAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 250：¥957.0348 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | PD55015STR-E | 511-PD55015STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600：¥110.8032 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | 2304 | 494-2304新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,140.9528 2：¥1,113.4956 5：¥1,097.186 10：¥1,081.642 25：¥1,066.852 50：¥993.6676 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| PTRA083818NFV1R5XUMA1 | 726-PTRA083818NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥597.7016 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MRFE6VP61K25HR6 | 841-MRFE6VP61K25HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H | 数据表 | 236 有库存 | 1：¥1,944.6356 5：¥1,901.2516 10：¥1,862.4264 25：¥1,834.888 50：¥1,768.2228 100：¥1,728.4928 150：¥1,728.4928 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 540 H6327 | 726-BFP540H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1570 有库存 | 1：¥4.3268 10：¥3.5612 100：¥2.1808 1,000：¥1.682 3,000：¥1.4384 9,000：¥1.334 24,000：¥1.2644 48,000：¥1.2412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1308HSR5 | 841-MMRF1308HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,284.7464 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | HFA3102BZ96 | 968-HFA3102BZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 15 | 数据表 | 无库存 | 1：¥41.7832 10：¥35.496 100：¥30.7864 250：¥29.1972 500：¥26.2392 1,000：¥22.1444 2,500：¥21.0076 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G20LS-310AVY | 771-BLC8G20LS-310AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ACP Pad for base station | 数据表 | 无库存 | 100：¥827.95 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| SD2941-10W | 511-SD2941-10W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥600.0564 5：¥589.0596 10：¥573.8172 25：¥562.5884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT23S160W02SR3 | 841-AFT23S160W02SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W | 数据表 | 无库存 | 250：¥737.7832 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLW32 | 974-BLW32新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥546.0584 10：¥455.0448 25：¥409.538 50：¥364.0312 100：¥327.6304 200：¥254.8288 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD2793 | 772-QPD2793新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V | 数据表 | 无库存 | 500：¥623.4072 | 最低： 500 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB072707FHV1R250XTMA1 | 726-PTFB072707FHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥711.312 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PD85025C | 511-PD85025C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans. LDMOST family | 数据表 | 无库存 | 1：¥431.7636 5：¥422.0544 10：¥405.594 25：¥392.4744 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6VP3091NBR1 | 841-MRF6VP3091NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥445.4168 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MRF137 | 937-MRF137新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB | 数据表 | 97 有库存 | 1：¥227.6036 10：¥224.1816 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF175LU | 937-MRF175LU新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥575.6268 10：¥540.7456 25：¥528.5308 50：¥516.3276 100：¥488.418 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD57030 | 511-SD57030新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp | 数据表 | 51 有库存 | 1：¥431.7636 5：¥422.0544 10：¥405.594 25：¥392.4744 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MS1509 | 494-MS1509新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,276.0232 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF275G | 937-MRF275G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB | 数据表 | 18 有库存 | 1：¥1,089.53 10：¥1,027.876 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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