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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFS17WH6327XTSA1 | 726-BFS17WH6327XTSA1 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 9980 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.3316 100：¥0.87928 1,000：¥0.67512 3,000：¥0.5162 9,000：¥0.45472 24,000：¥0.43268 48,000：¥0.37932 99,000：¥0.36424 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BFU530VL | 771-BFU530VL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.4592 100：¥1.508 1,000：¥1.1716 2,500：¥0.99296 10,000：¥0.92568 25,000：¥0.87928 50,000：¥0.85724 100,000：¥0.82708 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| GTVA261701FAV1R0XTMA1 | 726-GTVA261701FAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,052.5144 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFP 420 H6740 | 726-BFP420H6740新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5731 有库存 | 1：¥3.4916 10：¥2.8768 100：¥1.7516 1,000：¥1.3572 3,000：¥1.15304 9,000：¥1.07648 24,000：¥1.02428 48,000：¥0.99296 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTVA102001EAV1R2XTMA1 | 726-PTVA102001EAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 无库存 | 250：¥797.5464 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
| SRF4427 | 494-SRF4427新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥10.9156 5,000：¥10.0108 | 最低： 2500 倍数： 1 | |
| MMRF1008HSR5 | 841-MMRF1008HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,956.3864 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFP840ESDH6327XTSA1 | 726-BFP840ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 5071 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.90 100：¥1.7748 1,000：¥1.3688 3,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU730F,115 | 771-BFU730F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 16949 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.784 100：¥1.6936 1,000：¥1.3108 3,000：¥1.12288 9,000：¥1.04632 24,000：¥0.986 45,000：¥0.9628 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV35150F | 941-CGHV35150F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PTFA180701EV4R0XTMA1 | 726-PTFA180701EV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥442.9808 5：¥433.0512 10：¥416.1384 25：¥402.7172 50：¥402.7172 100：¥373.2068 250：¥362.5232 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTAB182002TCV2R250XUMA1 | 726-PTAB182002TCV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PTVA093002NDV1R5XUMA1 | 726-PTVA093002NDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥426.9032 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| BFP193E6327HTSA1 | 726-BFP193E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 6994 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.5752 100：¥1.1832 1,000：¥0.9106 3,000：¥0.77372 9,000：¥0.70528 24,000：¥0.66004 48,000：¥0.5916 99,000：¥0.5684 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| VRF154FL | 494-VRF154FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥2,015.9292 2：¥1,967.3832 5：¥1,938.5688 10：¥1,911.1928 25：¥1,884.942 50：¥1,755.718 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT09S282NR3 | 841-AFT09S282NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2 | 数据表 | 无库存 | 250：¥893.7104 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | CG2H80015D-GP4 | 941-CG2H80015D-GP4新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 无库存 | 10：¥390.5024 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | BLA6G1011-200R,112 | 771-BLA6G1011-200R1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS PWR LDMOS 200W | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,078.4184 5：¥2,028.434 10：¥1,978.0088 25：¥1,950.3196 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFC262808FVV1R250XTMA1 | 726-PTFC262808FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥962.7188 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| BFY64004PZZZA1 | 726-BFY64004PZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| MMRF1306HR5 | 841-MMRF1306HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,768.2228 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFP 196W H6327 | 726-BFP196WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 9553 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.3316 100：¥1.00108 1,000：¥0.77372 3,000：¥0.58348 9,000：¥0.52316 24,000：¥0.493 48,000：¥0.43268 99,000：¥0.4176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AGR18045EF | 974-AGR18045EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 49Watt Gain 15dB | 无库存 | 1：¥564.108 5：¥517.6152 10：¥464.522 25：¥411.4404 50：¥371.6176 100：¥358.3472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF8HP21080HR3 | 841-MRF8HP21080HR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥380.7236 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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