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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTVA120252MTV1R1KXUMA1 | 726-PTVA120252MTV1R1 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥110.20 | 最低： 1000 倍数： 1000 |  详细信息 |
| A2T07H310-24SR6 | 841-A2T07H310-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,043.3388 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | PRF947,115 | 771-PRF947115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ | 数据表 | 28973 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.7724 100：¥1.4964 1,000：¥1.12984 3,000：¥0.97092 9,000：¥0.9106 24,000：¥0.83404 45,000：¥0.80388 99,000：¥0.77372 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BYI-1F | 494-BYI-1F新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 75：¥762.5028 100：¥738.3052 | 最低： 75 倍数： 1 | |
 | 2SC2714-O(TE85L,F) | 757-2SC2714-OTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW | 数据表 | 3445 有库存 | 1：¥3.8628 10：¥2.2388 100：¥1.0614 1,000：¥0.81896 3,000：¥0.67512 9,000：¥0.6148 24,000：¥0.57652 45,000：¥0.5162 99,000：¥0.493 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP842ESDH6327XTSA1 | 726-BFP842ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 1860 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.90 100：¥1.7748 1,000：¥1.3688 3,000：¥1.1716 9,000：¥1.0846 24,000：¥1.03124 45,000：¥1.0092 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CFY2520PESZZZA1 | 726-CFY2520PESZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | TGF2023-2-05 | 772-TGF2023-2-05新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| A2T18H455W23NR6 | 841-A2T18H455W23NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 31.5 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,028.5488 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | BLV10 | 974-BLV10新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥477.7924 10：¥398.17 25：¥358.3472 50：¥318.536 100：¥286.6824 200：¥222.9752 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | TGF2120 | 772-TGF2120新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz | 数据表 | 无库存 | 100：¥110.722 300：¥103.5184 500：¥96.6976 1,000：¥90.7816 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| BFP193WH6327XTSA1 | 726-BFP193WH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5850 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.2504 100：¥0.84216 1,000：¥0.65192 3,000：¥0.65192 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| 2731-20 | 494-2731-20新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 20：¥1,764.8936 25：¥1,740.696 50：¥1,621.4016 | 最低： 20 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2023-2-01 | 772-TGF2023-2-01新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB | 数据表 | 100 有库存 | 50：¥229.6452 100：¥198.6268 250：¥186.7252 500：¥175.4964 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PD85035S-E | 511-PD85035S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 400：¥188.5348 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | MRF1517NT1 | 841-MRF1517NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N | 数据表 | 1876 有库存 | 1：¥87.1392 10：¥78.7176 25：¥68.6372 100：¥65.2268 250：¥62.2688 500：¥56.8052 1,000：¥48.0124 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF148A | 937-MRF148A新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥287.8192 10：¥276.892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLV32F | 974-BLV32F新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥725.2668 10：¥665.5036 25：¥597.2492 50：¥528.9948 100：¥477.7924 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NESG270034-EV09-AZ | NESG270034-EV09-AZ新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,042.8168 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFT92,215 | 771-BFT92-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 PNP 25MA 15V 5GHZ | 数据表 | 6850 有库存 | 1：¥4.6284 10：¥3.8396 100：¥2.3432 1,000：¥1.8096 3,000：¥1.5428 9,000：¥1.4384 24,000：¥1.3688 45,000：¥1.3224 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF2944 | 494-VRF2944新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥974.40 2：¥955.2948 5：¥923.4412 10：¥906.83 25：¥888.096 50：¥846.7652 100：¥819.9924 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AGR26125EF | 974-AGR26125EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB | 无库存 | 1：¥1,063.662 5：¥976.0704 10：¥875.9624 25：¥775.8544 50：¥700.7676 100：¥675.7464 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PXAC182908FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC182908FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥912.0616 100：¥866.4852 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| MRFE6VP5150GNR1 | 841-MRFE6VP5150GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥341.0516 5：¥323.7676 10：¥318.2228 25：¥288.4224 100：¥276.2888 250：¥255.3508 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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