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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMRF1007HSR5 | 841-MMRF1007HSR5 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,188.0756 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | MRFX1K80H-27MHZ | 771-MRFX1K80H-27MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1800W - 27MHz | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU530WX | 771-BFU530WX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | 数据表 | 3886 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.7724 100：¥1.4964 1,000：¥1.12984 3,000：¥0.97092 9,000：¥0.9106 24,000：¥0.83404 45,000：¥0.80388 99,000：¥0.77372 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF141G | 937-MRF141G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB | 数据表 | 76 有库存 | 1：¥1,191.6912 10：¥1,164.988 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFC261402FCV1XWSA1 | 726-PTFC261402FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥589.4308 100：¥548.8656 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MRF172 | 974-MRF172新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥432.2972 10：¥360.2496 25：¥324.22 50：¥288.1904 100：¥259.376 200：¥201.7356 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1214-300M | 494-1214-300M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,759.6168 5：¥2,586.3244 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| ARF1519 | 494-ARF1519新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 23 有库存 | 1：¥5,055.8484 5：¥4,738.3796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD2931-11W | 511-SD2931-11W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥537.3352 5：¥527.4752 10：¥513.822 25：¥503.73 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD55025-E | 511-PD55025-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 400 有库存 | 1：¥217.21 5：¥215.006 10：¥200.3668 25：¥191.342 100：¥171.10 250：¥163.212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFC262157FHV1XWSA1 | 726-PTFC262157FHV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| A2T09VD250NR1 | 841-A2T09VD250NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥699.9324 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | T2G6001528-Q3 | 772-T2G6001528-Q3新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥802.0124 25：¥723.8284 100：¥653.2192 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC182908FVV1R250XTMA1 | 726-PXAC182908FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥806.0376 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| AFV09P350-04NR3 | 841-AFV09P350-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,477.5268 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PTFB091507FHV1R250XTMA1 | 726-PTFB091507FHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥433.7356 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
.JPG) | PD54008L-E | 511-PD54008L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥72.3492 10：¥65.4472 25：¥62.4196 100：¥54.1488 250：¥51.7244 500：¥47.1772 1,000：¥41.1104 3,000：¥39.5908 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH60120D-GP4 | 941-CGH60120D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| A2T21S160-12SR3 | 841-A2T21S160-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥679.006 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PXFC192207NFV1R500XUMA1 | 726-PXFC192207NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥531.1176 | 最低： 500 倍数： 500 | |
| PTVA127002EVV1R250XTMA1 | 726-VA127002EVV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 250：¥4,743.5416 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
| ASMA201 | 974-ASMA201新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 1-500MHz Gain Block NF=7.5dB Max. 50 Ohm | 无库存 | 1：¥580.1856 10：¥532.4052 25：¥477.7924 50：¥423.1912 100：¥353.6492 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| CFY2520PESZZZA1 | 726-CFY2520PESZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |
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