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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD85006TR-E | 511-PD85006TR-E 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz | 数据表 | 无库存 | 600：¥79.1004 1,200：¥72.5812 | 最低： 600 倍数： 600 |  详细信息 |
 | STAC2932FW | 511-STAC2932FW新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch | 数据表 | 无库存 | 1：¥667.3944 5：¥655.1912 10：¥625.6924 25：¥604.8356 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD20015-E | 511-PD20015-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family | 数据表 | 385 有库存 | 1：¥177.7004 5：¥175.8792 10：¥163.8964 25：¥156.5304 100：¥140.0004 250：¥133.5508 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD54008TR-E | 511-PD54008TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST | 数据表 | 无库存 | 1：¥119.1436 10：¥109.5156 25：¥104.9684 100：¥92.5216 250：¥87.9744 600：¥82.2904 1,200：¥75.458 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC2425M8LS300PZ | 771-BLC2425M8LS300PZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,248.1832 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFQ18A,115 | 771-BFQ18A-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ | 数据表 | 3928 有库存 | 1：¥7.5864 10：¥6.4264 100：¥4.9416 500：¥4.3616 1,000：¥3.4452 2,000：¥3.0508 10,000：¥2.9464 25,000：¥2.8536 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PTVA123501ECV2R250XTMA1 | 726-PTVA123501ECV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥2,617.192 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| BFR380FH6327XTSA1 | 726-BFR380FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 9000 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.32 100：¥1.00108 1,000：¥0.7656 3,000：¥0.58348 9,000：¥0.5162 24,000：¥0.48488 48,000：¥0.43268 99,000：¥0.4176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC261002FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC261002FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥499.3336 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | 2731-100M | 494-2731-100M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 20：¥2,574.562 | 最低： 20 倍数： 1 | 详细信息 |
| LET9045STR | 511-LET9045STR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package | 数据表 | 无库存 | 600：¥234.5752 | 最低： 600 倍数： 600 | |
| 15GN01CA-TB-E | 863-15GN01CA-TB-E新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 LOW-SATURATION VOLTAGE | 数据表 | 5940 有库存 | 1：¥2.8768 10：¥1.8328 100：¥0.7888 1,000：¥0.60668 3,000：¥0.46284 9,000：¥0.40948 24,000：¥0.38628 45,000：¥0.34104 99,000：¥0.32596 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CGH27030F | 941-CGH27030F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 41 有库存 | 1：¥701.7536 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB090901FAV2R0XTMA1 | 726-PTFB090901FAV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥331.2728 100：¥300.2544 250：¥289.8608 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| BFR 740L3RH E6327 | 726-BFR740L3RHE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | 数据表 | 10165 有库存 | 1：¥6.2176 10：¥5.1388 100：¥3.3176 1,000：¥2.6564 2,500：¥2.2388 10,000：¥2.1576 15,000：¥2.0764 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1015L | 772-QPD1015L新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN | 数据表 | 33 有库存 | 1：¥1,023.8508 25：¥887.342 100：¥765.9944 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M6L180P,112 | 771-BLF2425M6L180P1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,088.776 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| PTAC240502FCV1XWSA1 | 726-PTAC240502FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF5812LF | 974-MRF5812LF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 410 有库存 | 1：¥34.1272 10：¥28.5128 25：¥25.636 50：¥22.7476 100：¥20.474 200：¥15.9268 500：¥14.4884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFT25A,215 | 771-BFT25A215新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 5V 5GHZ | 数据表 | 5930 有库存 | 1：¥4.7792 10：¥3.9208 100：¥2.3896 1,000：¥1.856 3,000：¥1.5776 9,000：¥1.4732 24,000：¥1.392 45,000：¥1.3572 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| ASMA202 | 974-ASMA202新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥483.488 10：¥443.6652 25：¥398.17 50：¥352.6632 100：¥294.7212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTFC262157SHV1R250XTMA1 | 726-PTFC262157SHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥735.5792 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | 2SC5087-O(TE85L,F) | 757-2SC5087-OTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz | 数据表 | 2587 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.4592 100：¥1.3688 1,000：¥1.00108 3,000：¥0.8642 9,000：¥0.80388 24,000：¥0.74356 45,000：¥0.7134 99,000：¥0.68208 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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