24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CE3512K2 | 551-CE3512K2 新产品 | CEL | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C | 数据表 | 1639 有库存 | 1：¥11.4492 10：¥8.7232 100：¥6.3684 500：¥5.4172 1,000：¥4.4544 2,500：¥4.1412 10,000：¥3.9788 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BFU550XAR | 771-BFU550XAR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 23055 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.8304 100：¥1.7168 1,000：¥1.334 3,000：¥1.13796 9,000：¥1.0614 24,000：¥1.00108 45,000：¥0.97788 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFR193E6327HTSA1 | 726-BFR193E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 3988 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.4012 100：¥1.03124 1,000：¥0.79576 3,000：¥0.60668 9,000：¥0.53824 24,000：¥0.50112 48,000：¥0.44776 99,000：¥0.43268 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MAX2602ESA+ | 700-MAX2602ESA新产品 | Maxim Integrated | 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | 数据表 | 792 有库存 | 1：¥31.6216 10：¥30.0324 25：¥24.7196 50：¥23.5132 100：¥22.3764 500：¥20.1028 2,000：¥19.7896 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF10031 | 937-MRF10031新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 19 有库存 | 1：¥878.6188 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BF1101,215 | 771-BF1101215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3408 100：¥2.0416 1,000：¥1.5776 3,000：¥1.3456 9,000：¥1.2528 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.16 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1K50H-TF4 | 841-MRF1K50H-TF4新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF4 | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| AGR09090EF | 974-AGR09090EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB | 无库存 | 1：¥741.3444 5：¥680.2936 10：¥610.5196 25：¥540.7456 50：¥488.418 100：¥470.9716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MS1008MP | 974-MS1008MP新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 TRANSISTOR | 无库存 | 10：¥1,212.6988 | 最低： 10 倍数： 1 | ||
| AGR18030EF | 974-AGR18030EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB | 无库存 | 1：¥451.2516 5：¥414.0852 10：¥371.6176 25：¥329.15 50：¥297.2964 100：¥286.6824 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | HFA3046BZ | 968-HFA3046BZ新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR | 数据表 | 无库存 | 1：¥67.5004 10：¥61.0508 50：¥58.174 100：¥50.5064 250：¥48.2328 500：¥43.9872 1,000：¥38.3032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF6V2300NBR1 | 841-MRF6V2300NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W TO272WB4N | 数据表 | 264 有库存 | 1：¥1,080.0528 5：¥1,059.0452 10：¥1,024.1524 25：¥980.7684 50：¥967.2776 100：¥899.6264 250：¥879.3728 500：¥879.3728 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFR 106 E6327 | 726-BFR106E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 2642 有库存 | 1：¥2.958 10：¥2.204 100：¥1.1948 1,000：¥0.89436 3,000：¥0.77372 9,000：¥0.72036 24,000：¥0.667 48,000：¥0.63684 99,000：¥0.6148 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1320NR1 | 841-MMRF1320NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥291.3804 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| BF2040E6814HTSA1 | 726-BF2040E6814HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V | 数据表 | 11925 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.4012 100：¥1.09968 1,000：¥0.84912 3,000：¥0.72036 9,000：¥0.66004 24,000：¥0.6148 48,000：¥0.55332 99,000：¥0.53128 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH1516-60 | 937-PH1516-60新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 无库存 | 10：¥2,369.3464 | 最低： 10 倍数： 1 | ||
.JPG) | PD54003L-E | 511-PD54003L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 1679 有库存 | 1：¥66.062 10：¥59.682 25：¥56.956 100：¥49.4508 250：¥47.2468 500：¥43.0824 1,000：¥37.5376 3,000：¥36.0992 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | UF2840G | 937-UF2840G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,090.1332 10：¥981.1512 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| ARF446G | 494-ARF446G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 13 有库存 | 1：¥357.8948 2：¥348.1856 5：¥338.5576 10：¥328.918 25：¥305.6368 50：¥298.2012 100：¥284.9308 250：¥260.362 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP740FH6327XTSA1 | 726-BFP740FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2731 有库存 | 1：¥3.712 10：¥3.074 100：¥1.8676 1,000：¥1.45 3,000：¥1.2412 9,000：¥1.15304 24,000：¥1.09156 45,000：¥1.0614 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF 998 E6327 | 726-BF998E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA | 数据表 | 1691 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.5984 100：¥1.4152 1,000：¥1.05444 3,000：¥0.9106 9,000：¥0.84912 24,000：¥0.78068 48,000：¥0.75052 99,000：¥0.72036 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| DU28200M | 937-DU28200M新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥1,855.2924 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| AFT09H310-04GSR6 | 841-AFT09H310-04GSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,016.9488 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| AFT21S140W02SR3 | 841-AFT21S140W02SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,000.1172 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
