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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTVA043502FCV1R2XTMA1 | 726-PTVA043502FCV1R2 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥957.116 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 |
| PXAC210552MDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552MDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥218.5788 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | A2V09H525-04NR6 | 841-A2V09H525-04NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated power amplifier, 575-960 MHz, 525 W, 48 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,013.0048 | 最低： 150 倍数： 150 | |
| PTFB093608FVV3R2XTMA1 | 726-PTFB093608FVV3R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥901.668 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PTFB090901FAV2R250XTMA1 | 726-PTFB090901FAV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥289.8608 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| A2T18H450W19SR6 | 841-A2T18H450W19SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 89 W Avg., 30 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,523.2656 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| NESG2101M05-EVPW24-A | 551-NESG2101M05-EVPW新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,042.8168 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | A2T18S261W12NR3 | 841-A2T18S261W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥501.758 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | T2G4005528-FS | 772-T2G4005528-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,618.4436 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| PTVA030121EAV1R0XTMA1 | 726-PTVA030121EAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥367.4532 100：¥340.5296 250：¥330.7392 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFS20,235 | 771-BFS20235新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ | 数据表 | 8098 有库存 | 1：¥2.958 10：¥2.204 100：¥1.1948 1,000：¥0.89436 2,500：¥0.77372 10,000：¥0.72036 20,000：¥0.66004 50,000：¥0.63684 100,000：¥0.6148 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P8300HSR6 | 841-MRF8P8300HSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,059.718 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | SD57060-01 | 511-SD57060-01新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥627.966 5：¥616.4356 10：¥588.7464 25：¥569.1076 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF557T | 974-MRF557T新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥34.1272 10：¥28.5128 25：¥25.5548 50：¥22.7476 100：¥20.474 200：¥15.9268 500：¥14.4884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PTFB193404F V1 | 726-PTFB193404FV1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FETs 340W 30V 1930-1990 MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BLM8G0710S-45ABY | 771-BLM8G0710S-45ABY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 1：¥380.0392 5：¥371.6176 10：¥354.554 25：¥339.6944 100：¥307.8408 200：¥297.2964 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| DME800 | 494-DME800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥3,433.6928 | 最低： 25 倍数： 1 | |
 | BFS 17W H6327 | 726-BFS17WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 13830 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.0532 100：¥0.87928 1,000：¥0.67512 3,000：¥0.5162 9,000：¥0.45472 24,000：¥0.43268 48,000：¥0.37932 99,000：¥0.36424 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB192503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB192503FLV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 50：¥751.0536 100：¥699.3292 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-160AVJ | 771-BLC8G27LS-160AVJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC8G27LS-160AV/DFM6F/REEL 13 | 数据表 | 无库存 | 100：¥672.4056 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| MRF6V12500GSR5 | 841-MRF6V12500GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,805.7268 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | BFU520XVL | 771-BFU520XVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.6912 100：¥1.4616 1,000：¥1.09156 2,500：¥0.94076 10,000：¥0.87928 25,000：¥0.812 50,000：¥0.78068 100,000：¥0.75052 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF464 | 974-MRF464新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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