图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
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![]() | MRF4427R1 | 974-MRF4427![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥34.1272 10:¥28.4432 25:¥25.5548 50:¥22.7476 100:¥20.474 200:¥15.9268 500:¥14.4884 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFR740L3RHE6327XTSA1 | 726-BFR740L3RHE6327X![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | 数据表 | 9846 有库存 | 1:¥6.2176 10:¥5.1388 100:¥3.3176 1,000:¥2.6564 2,500:¥2.2388 10,000:¥2.1576 15,000:¥2.0764 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | AFT09H310-03SR6 | 841-AFT09H310-03SR6![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S | 数据表 | 无库存 | 150:¥1,016.9488 | 最低: 150 倍数: 150 | ![]() 详细信息 |
![]() | A2T21H100-25SR3 | 841-A2T21H100-25SR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250:¥562.658 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | HFA3127RZ96 | 968-HFA3127RZ96![]() 新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3 | 数据表 | 无库存 | 6,000:¥30.7864 | 最低: 6000 倍数: 6000 | ![]() 详细信息 |
![]() | DSC5G03T0L | 667-DSC5G03T0L![]() 新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead | 数据表 | 3265 有库存 | 1:¥2.6564 10:¥1.7284 100:¥0.812 500:¥0.6148 1,000:¥0.493 3,000:¥0.37932 9,000:¥0.2958 24,000:¥0.2726 45,000:¥0.22736 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
1517-20M | 494-1517-20M![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10:¥1,855.8956 25:¥1,830.4916 50:¥1,704.9796 | 最低: 10 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BLP05H635XRY | 771-BLP05H635XRY![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥380.3408 5:¥371.8496 10:¥357.3612 25:¥345.8308 100:¥320.508 200:¥311.2512 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | DME400A | 494-DME400A![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 25:¥2,351.8188 | 最低: 25 倍数: 1 | ||
![]() | LET9060C | 511-LET9060C![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz | 数据表 | 无库存 | 1:¥715.9404 5:¥702.8208 10:¥671.1876 25:¥648.8228 100:¥604.1512 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | CGHV1J070D-GP4 | 941-CGHV1J070D![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ![]() 详细信息 | |
![]() | A2T23H300-24SR6 | 841-A2T23H300-24SR6![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2300-2400 MHz, 69 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 1:¥1,113.5652 5:¥1,088.6948 10:¥1,066.4692 25:¥1,050.6932 50:¥1,012.5524 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
![]() | PH3134-20L | 937-PH3134-20L![]() 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 10:¥2,033.596 | 最低: 10 倍数: 10 | |
PD20010S-E | 511-PD20010S-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400:¥101.6972 | 最低: 400 倍数: 400 | ![]() 详细信息 | |
![]() | MRF300BN | 771-MRF300BN![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L | 无库存 | 240:¥309.662 250:¥286.2184 | 最低: 240 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BFP 450 H6327 | 726-BFP450H6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3837 有库存 | 1:¥4.2456 10:¥3.5264 100:¥2.2736 1,000:¥1.8212 3,000:¥1.5428 9,000:¥1.4848 24,000:¥1.4268 45,000:¥1.4036 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | AGR19180EF | 974-AGR19180EF![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB | 无库存 | 1:¥1,160.3596 5:¥1,064.8104 10:¥955.5964 25:¥846.3824 50:¥764.4748 100:¥737.1684 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
MMRF1314HSR5 | 841-MMRF1314HSR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 50:¥4,746.8708 | 最低: 50 倍数: 50 | ||
![]() | BF 771 E6327 | 726-BF771E6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 12410 有库存 | 1:¥3.6424 10:¥2.552 100:¥1.1716 1,000:¥0.90248 3,000:¥0.7656 9,000:¥0.69716 24,000:¥0.65192 48,000:¥0.58348 99,000:¥0.56144 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PD20010-E | 511-PD20010-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 403 有库存 | 1:¥137.7268 10:¥126.6488 25:¥121.4172 100:¥106.9404 250:¥101.6972 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BLF2425M9LS30J | 771-BLF2425M9LS30J![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100:¥439.2688 200:¥420.2332 | 最低: 100 倍数: 100 | ![]() 详细信息 |
![]() | DSA2G01B0L | 667-DSA2G01B0L![]() 新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing | 数据表 | 2880 有库存 | 1:¥2.5056 10:¥1.6356 100:¥0.77372 500:¥0.58348 1,000:¥0.4698 3,000:¥0.34916 9,000:¥0.28072 24,000:¥0.26564 45,000:¥0.21228 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PD55003TR-E | 511-PD55003TR-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600:¥65.83 1,200:¥60.3664 | 最低: 600 倍数: 600 | ![]() 详细信息 |