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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PXAC261212FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC261212FCV1R2 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥502.5735 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | T1G4004532-FL | 772-T1G4004532-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB | 数据表 | 29 有库存 | 1：¥1,835.8704 25：¥1,656.8721 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BFU725F/N1,115 | 771-BFU725FN1115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN | 数据表 | 26232 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.7612 100：¥1.4976 1,000：¥1.12437 3,000：¥0.9711 9,000：¥0.90207 24,000：¥0.83421 45,000：¥0.80262 99,000：¥0.76518 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2731-100M | 494-2731-100M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 20：¥2,596.7565 | 最低： 20 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF157 | 974-MRF157新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,939.4719 10：¥3,763.539 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MAPR-000912-500S00 | 937-MAPR000912500S00新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥5,253.417 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV35150F | 941-CGHV35150F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MAPRST0912-350 | 937-MAPRST0912-350新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥3,405.0042 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G6000528-Q3 | 772-T2G6000528-Q3新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz | 数据表 | 170 有库存 | 1：¥615.0222 25：¥520.5447 100：¥440.6103 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6VP2600HR5 | 841-MRF6VP2600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 225MHZ NI1230 | 数据表 | 165 有库存 | 1：¥2,252.5308 5：¥2,217.9573 10：¥2,184.9165 25：¥2,137.7889 50：¥2,104.9821 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1109WR,115 | 771-BF1109WR-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.3696 100：¥2.0592 1,000：¥1.5912 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2636 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.17 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2018 | 772-TGF2018新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm | 数据表 | 100 有库存 | 100：¥44.6004 300：¥41.6871 500：¥38.9376 1,000：¥36.4104 2,500：¥36.2583 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MRF6VP3450HR6 | 841-MRF6VP3450HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,426.7799 5：¥1,394.9559 10：¥1,366.4196 25：¥1,346.2254 50：¥1,297.3428 100：¥1,268.2098 150：¥1,268.2098 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L100U | 771-BLF2425M7L100U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥746.5068 120：¥695.1087 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | VRF2944 | 494-VRF2944新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥982.80 2：¥963.5301 5：¥931.4019 10：¥914.6475 25：¥895.752 50：¥854.0649 100：¥827.0613 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBTH10-TP | 833-MMBTH10-TP新产品 | Micro Commercial Components (MCC) | 射频(RF)双极晶体管 225mW, 25V,50mA | 数据表 | 2970 有库存 | 1：¥2.1411 10：¥1.4157 100：¥0.58851 1,000：¥0.40599 3,000：¥0.30654 9,000：¥0.25974 24,000：¥0.24453 45,000：¥0.22932 99,000：¥0.1989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BG 3130 H6327 | 726-BG3130H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 8900 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.4453 100：¥1.3221 1,000：¥0.9945 3,000：¥0.85644 9,000：¥0.80262 24,000：¥0.73476 48,000：¥0.71136 99,000：¥0.68094 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR106E6327HTSA1 | 726-BFR106E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.223 100：¥1.2051 1,000：¥0.90207 3,000：¥0.78039 9,000：¥0.72657 24,000：¥0.67275 48,000：¥0.64233 99,000：¥0.6201 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1317HSR5 | 841-MMRF1317HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥6,092.7984 5：¥6,045.0624 10：¥5,998.0167 25：¥5,869.7379 50：¥5,731.8183 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | 2SK3756(TE12L,F) | 757-2SK3756TE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS | 数据表 | 104 有库存 | 1：¥12.8466 10：¥10.3311 100：¥8.2602 500：¥7.2189 1,000：¥5.9787 2,000：¥5.5692 5,000：¥5.3586 10,000：¥5.1597 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT09H310-04GSR6 | 841-AFT09H310-04GSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,025.7156 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | CG2H80015D-GP4 | 941-CG2H80015D-GP4新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 无库存 | 10：¥393.8688 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | A2T18S160W31SR3 | 841-A2T18S160W31SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,155.141 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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