24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | A2T18H450W19SR6 | 841-A2T18H450W19SR6 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 89 W Avg., 30 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,536.3972 | 最低： 150 倍数： 150 |  详细信息 |
 | PH1214-25S | 937-PH1214-25S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,491.6447 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MHT2000NR1 | 841-MHT2000NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥311.4072 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PD57006-E | 511-PD57006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS | 数据表 | 236 有库存 | 1：¥123.8445 10：¥113.8995 25：¥109.161 100：¥96.1506 250：¥91.4121 500：¥85.5153 1,000：¥78.4836 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLM8G0710S-45ABY | 771-BLM8G0710S-45ABY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 1：¥383.3154 5：¥374.8212 10：¥357.6105 25：¥342.6228 100：¥310.4946 200：¥299.8593 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PXAC210552MDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552MDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥220.4631 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PD85004 | 511-PD85004新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR | 数据表 | 7771 有库存 | 1：¥24.7104 10：¥21.0366 100：¥18.2052 250：¥17.2926 500：¥15.5259 1,000：¥13.0806 2,500：¥12.4722 5,000：¥12.0042 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 720L3RH E6327 | 726-BFR720L3RHE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF6VP3091NBR1 | 841-MRF6VP3091NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥449.2566 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | TGF2979-SM | 772-TGF2979-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BF992,215 | 771-BF992-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF | 数据表 | 4405 有库存 | 1：¥4.3641 10：¥3.5919 100：¥2.3166 1,000：¥1.8603 3,000：¥1.5678 9,000：¥1.5093 24,000：¥1.4508 45,000：¥1.4274 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH40120F | 941-CGH40120F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt | 数据表 | 144 有库存 | 1：¥2,316.6351 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6VP11KHR5 | 841-MRF6VP11KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230 | 数据表 | 108 有库存 | 1：¥1,660.3119 5：¥1,623.2931 10：¥1,590.0885 25：¥1,566.6066 50：¥1,509.6978 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | LET9045 | 511-LET9045新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥385.0002 5：¥376.3539 10：¥361.6704 25：¥349.9587 100：¥324.3357 250：¥314.9991 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP540ESDH6327XTSA1 | 726-BFP540ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2890 有库存 | 1：¥4.5162 10：¥3.7323 100：¥2.2815 1,000：¥1.755 3,000：¥1.4976 9,000：¥1.404 24,000：¥1.3221 45,000：¥1.287 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 460 H6327 | 726-BFP460H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 4016 有库存 | 1：¥3.5217 10：¥2.6676 100：¥1.4508 1,000：¥1.08576 3,000：¥0.93366 9,000：¥0.87165 24,000：¥0.80262 45,000：¥0.7722 99,000：¥0.74178 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV96050F2 | 941-CGHV96050F2新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | DME201020R | 667-DME201020R新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Composite Transistor 2.9x2.8mm Gull Wing | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.7144 100：¥1.7082 500：¥1.3806 1,000：¥1.3104 3,000：¥1.06353 9,000：¥0.98631 24,000：¥0.93366 45,000：¥0.89505 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MHT2000GNR1 | 841-MHT2000GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥311.4072 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | SD57045-01 | 511-SD57045-01新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp | 数据表 | 无库存 | 50：¥541.0431 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF581A | 974-MRF581A新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 1304 有库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.7586 25：¥25.857 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFX1K80H-27MHZ | 771-MRFX1K80H-27MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1800W - 27MHz | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P20140WHSR3 | 841-MRF8P20140WHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥696.8637 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | T1G4020036-FL | 772-T1G4020036-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
