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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TGF2935 | 772-TGF2935 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥181.5255 100：¥160.407 250：¥149.1633 500：¥138.762 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | BFR 460L3 E6327 | 726-BFR460L3E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA | 数据表 | 6026 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥2.223 100：¥1.2051 1,000：¥0.90207 2,500：¥0.78039 10,000：¥0.72657 15,000：¥0.66573 45,000：¥0.64233 90,000：¥0.6201 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CG2H40010F | 941-CG2H40010F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥447.3378 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC261002FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC261002FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥567.9765 100：¥526.4415 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXFC192207FHV3R250XTMA1 | 726-PXFC192207FHV3R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥646.3782 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | ARF460AG | 494-ARF460AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥320.9661 2：¥312.2496 5：¥303.6033 10：¥294.8868 25：¥274.0842 50：¥267.4269 100：¥255.4929 250：¥233.4618 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT26H160-4S4R3 | 841-AFT26H160-4S4R3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ NI880X-4L4S | 数据表 | 无库存 | 250：¥701.1459 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MMRF1018NR1 | 841-MMRF1018NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband RF Power LDMOS Transistor, 470-860 MHz, 90 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥449.2566 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | AT-30533-TR1G | 630-AT-30533-TR1G新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥3.159 100：¥2.0826 1,000：¥1.5327 3,000：¥1.3221 9,000：¥1.2168 24,000：¥1.16298 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR18N50 | 747-IXZR18N50新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥454.2993 5：¥437.3226 10：¥427.5297 25：¥400.8303 50：¥387.5976 100：¥382.1688 250：¥357.2244 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF909R,235 | 771-BF909R235新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.212 10：¥3.4749 100：¥2.1294 1,000：¥1.6497 2,500：¥1.404 10,000：¥1.3104 20,000：¥1.2402 50,000：¥1.2051 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA043502ECV1R0XTMA1 | 726-PTVA043502ECV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,061.5878 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 1014-12 | 494-1014-12新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,282.3551 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA212001E V4 | 726-PTFA212001EV4新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | RFM01U7P(TE12L,F) | 757-RFM01U7PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V | 数据表 | 无库存 | 1：¥19.8081 10：¥15.9822 100：¥12.7764 500：¥11.2437 1,000：¥9.3366 2,000：¥8.6463 5,000：¥8.3421 10,000：¥8.0262 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1024HSR5 | 841-MMRF1024HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,056.6972 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU520VL | 771-BFU520VL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.7144 100：¥1.4742 1,000：¥1.10097 2,500：¥0.94887 10,000：¥0.88686 25,000：¥0.819 50,000：¥0.78741 100,000：¥0.75699 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB213208SVV1R250XTMA1 | 726-PTFB213208SVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLC8G27LS-60AVZ | 771-BLC8G27LS-60AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥458.055 5：¥447.7239 10：¥430.2792 25：¥416.3562 100：¥385.9128 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T18H410-24SR6 | 841-A2T18H410-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,917.1854 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | CGHV40180F | 941-CGHV40180F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF8VP13350GNR3 | 841-MRF8VP13350GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,472.8311 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXAC201602FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC201602FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥503.6382 | 最低： 250 倍数： 250 |
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