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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBT2907A-G | 750-MMBT2907A-G 新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA | 数据表 | 5658 有库存 | 1：¥1.8369 10：¥1.1934 100：¥0.54288 1,000：¥0.34398 3,000：¥0.25974 9,000：¥0.2223 24,000：¥0.20709 45,000：¥0.1989 99,000：¥0.16848 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PXFC191507FCV1R250XTMA1 | 726-PXFC191507FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥462.9456 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PTFC210202FCV1R250XTMA1 | 726-PTFC210202FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥318.1464 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MRF8S9200NR3 | 841-MRF8S9200NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2 | 数据表 | 无库存 | 250：¥628.3251 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | AFT18S260W31SR3 | 841-AFT18S260W31SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥908.7507 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BF 999 E6327 | 726-BF999E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode | 数据表 | 4785 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.8197 100：¥1.7199 1,000：¥1.3338 3,000：¥1.13256 9,000：¥1.05534 24,000：¥1.00152 48,000：¥0.97929 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC260362SCV1R250XTMA1 | 726-PTFC260362SCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CE3512K2 | 551-CE3512K2新产品 | CEL | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C | 数据表 | 1321 有库存 | 1：¥11.5479 10：¥8.7984 100：¥6.4233 500：¥5.4639 1,000：¥4.4928 2,500：¥4.1769 10,000：¥4.0131 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-180AVZ | 771-BLC8G27LS-180AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥747.5013 120：¥696.0213 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF7S15100HSR3 | 841-MRF7S15100HSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S | 数据表 | 无库存 | 250：¥826.605 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | QPD2795 | 772-QPD2795新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN | 数据表 | 22 有库存 | 1：¥1,520.2512 25：¥1,258.9434 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CG2H30070F | 941-CG2H30070F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PD57018TR-E | 511-PD57018TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600：¥177.3135 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | DU2820S | 937-DU2820S新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 350 有库存 | 1：¥296.4195 5：¥266.7366 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF1K50H-TF1 | 841-MRF1K50H-TF1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF1 | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP540FESDH6327XTSA1 | 726-BFP540FESDH6327X新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2415 有库存 | 1：¥4.4343 10：¥3.6153 100：¥2.2113 1,000：¥1.7082 3,000：¥1.4508 9,000：¥1.3572 24,000：¥1.287 45,000：¥1.2519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFY650B11PB4SA1 | 726-BFY650B11PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PTFC261402FCV1R250XTMA1 | 726-PTFC261402FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥507.2301 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PTFB182503EL V1 | 726-PTFB182503ELV1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CGH80030D-GP4 | 941-CGH80030D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 20 有库存 | 10：¥750.3327 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | T2G6003028-FL | 772-T2G6003028-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged | 数据表 | 88 有库存 | 1：¥1,208.0016 25：¥1,090.206 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | UF28100V | 937-UF28100V新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,384.8588 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP100HR5 | 841-MRFE6VP100HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM | 数据表 | 115 有库存 | 1：¥687.9951 5：¥674.6805 10：¥652.3452 25：¥624.7332 50：¥616.1688 100：¥573.1011 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTVA035002EVV1R0XTMA1 | 726-PTVA035002EVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,857.7494 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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