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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CGHV40100F | 941-CGHV40100F 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt | 数据表 | 74 有库存 | 1：¥2,654.0514 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PD84008-E | 511-PD84008-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 数据表 | 无库存 | 400：¥88.7328 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | AFT09MS015NT1 | 841-AFT09MS015NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-94 MHz 16W 12.5V | 数据表 | 877 有库存 | 1：¥55.5399 10：¥50.9418 25：¥46.2735 100：¥41.6871 250：¥38.1654 500：¥34.7256 1,000：¥31.2858 2,000：¥30.5253 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 2SC5086-Y,LF | 757-2SC5086-YLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 5597 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.0709 100：¥1.15479 1,000：¥0.84123 3,000：¥0.72657 9,000：¥0.68094 24,000：¥0.62712 45,000：¥0.60489 99,000：¥0.58149 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF10120 | 937-MRF10120新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,338.6555 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD85006-E | 511-PD85006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
 | BF556A,215 | 771-BF556A-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 4239 有库存 | 1：¥5.0544 10：¥4.1769 100：¥2.691 1,000：¥2.1528 3,000：¥1.8252 9,000：¥1.755 24,000：¥1.6848 45,000：¥1.6614 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV35060MP | 941-CGHV35060MP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,179.3951 250：¥1,179.3951 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT20P140-4WGNR3 | 841-AFT20P140-4WGNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥481.8411 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MMRF1310HSR5 | 841-MMRF1310HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥663.0507 100：¥616.6251 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT20P060-4NR3 | 841-AFT20P060-4NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥228.8754 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | DSA7506R0L | 667-DSA7506R0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 4.5x4.0mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1：¥6.4233 10：¥4.9842 100：¥4.3758 500：¥3.9078 1,000：¥2.5272 2,000：¥2.0709 10,000：¥1.989 25,000：¥1.9071 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP6600NR3 | 841-MRFE6VP6600NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥717.21 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PD84010TR-E | 511-PD84010TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz | 数据表 | 无库存 | 600：¥87.1299 | 最低： 600 倍数： 600 | |
| AFT18H357-24SR6 | 841-AFT18H357-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,168.9938 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | MRF1K50NR5 | 841-MRF1K50NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V | 数据表 | 100 有库存 | 1：¥1,499.6709 5：¥1,466.244 10：¥1,436.2569 25：¥1,415.0682 50：¥1,363.6701 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1214-370M | 494-1214-370M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,453.1965 5：¥3,236.4072 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1013HSR5 | 841-MMRF1013HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,603.0394 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFR 380F H6327 | 726-BFR380FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.34 100：¥1.00971 1,000：¥0.7722 3,000：¥0.58851 9,000：¥0.52065 24,000：¥0.48906 48,000：¥0.43641 99,000：¥0.4212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF3020-SM | 772-TGF3020-SM新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥344.2257 25：¥305.9784 100：¥267.7311 250：¥244.7874 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5087YTE85LF | 757-2SC5087YTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V | 数据表 | 2340 有库存 | 1：¥3.5217 10：¥2.3049 100：¥1.287 1,000：¥0.94068 3,000：¥0.81081 9,000：¥0.75699 24,000：¥0.69615 45,000：¥0.67275 99,000：¥0.64233 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G20LS-310AVY | 771-BLC8G20LS-310AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ACP Pad for base station | 数据表 | 无库存 | 100：¥835.0875 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | CGHV27015S | 941-CGHV27015S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 215 有库存 | 1：¥258.7806 250：¥258.7806 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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