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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF137 | 974-MRF137 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥377.5824 10：¥339.7914 25：¥321.048 50：¥311.4891 100：¥237.8259 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BFS17WH6327XTSA1 | 726-BFS17WH6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 9980 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.3517 100：¥0.88686 1,000：¥0.68094 3,000：¥0.52065 9,000：¥0.45864 24,000：¥0.43641 48,000：¥0.38259 99,000：¥0.36738 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MMRF5015NR5 | 841-MMRF5015NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power GaN Transistor 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,364.1595 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| A2T23H160-24SR3 | 841-A2T23H160-24SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥696.8637 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLF2425M8L140U | 771-BLF2425M8L140U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥915.642 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MMRF5014HR5 | 841-MMRF5014HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,690.0874 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| MRF448 | 974-MRF448新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥861.939 10：¥833.1804 25：¥804.492 50：¥775.7334 100：¥744.3657 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | LET9060C | 511-LET9060C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥722.1123 5：¥708.8796 10：¥676.9737 25：¥654.4161 100：¥609.3594 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU530WX | 771-BFU530WX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | 数据表 | 3916 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.7963 100：¥1.5093 1,000：¥1.13958 3,000：¥0.97929 9,000：¥0.91845 24,000：¥0.84123 45,000：¥0.81081 99,000：¥0.78039 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA104501EHV1R0XTMA1 | 726-PTVA104501EHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,123.1873 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFB183404EV1R0XTMA1 | 726-PTFB183404EV1R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,105.2756 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTAC260302SCV1R250XTMA1 | 726-PTAC260302SCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF6V12250HSR5 | 841-MRF6V12250HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,973.2518 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTAC240502FCV1R0XTMA1 | 726-PTAC240502FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥487.656 100：¥451.9359 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BLW98 | 974-BLW98新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥665.5077 10：¥554.5917 25：¥499.122 50：¥443.664 100：¥399.2976 200：¥310.5648 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T21H410-24SR6 | 841-A2T21H410-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 28 W Avg, 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,276.3179 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | TAN300 | 494-TAN300新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥2,425.1058 | 最低： 25 倍数： 1 | |
 | PTVA030121EAV1R0XTMA1 | 726-PTVA030121EAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥370.6209 100：¥343.4652 250：¥333.5904 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PD85006TR-E | 511-PD85006TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz | 数据表 | 无库存 | 600：¥79.7823 1,200：¥73.2069 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | PH1516-30 | 937-PH1516-30新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 10：¥2,111.3235 | 最低： 10 倍数： 1 | |
 | BLF2425M9LS30J | 771-BLF2425M9LS30J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥443.0556 200：¥423.8559 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | A2T18H160-24SR3 | 841-A2T18H160-24SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥690.2883 | 最低： 250 倍数： 250 |
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