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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD54008S-E | 511-PD54008S-E 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 275 有库存 | 1：¥120.1707 10：¥110.4597 25：¥105.8733 100：¥93.3192 250：¥88.7328 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BLX15 | 974-BLX15新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥731.5191 10：¥671.2407 25：¥602.3979 50：¥533.5551 100：¥481.9113 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PTVA123501ECV2R250XTMA1 | 726-PTVA123501ECV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥2,639.754 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFR 193 E6327 | 726-BFR193E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 15367 有库存 | 1：¥2.8314 10：¥2.106 100：¥0.90207 1,000：¥0.69615 3,000：¥0.61191 9,000：¥0.54288 24,000：¥0.50544 48,000：¥0.45162 99,000：¥0.43641 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC262157FHV1R0XTMA1 | 726-PTFC262157FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥839.5335 100：¥797.6124 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MMRF1007HSR5 | 841-MMRF1007HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,224.1797 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFA092201EV4R0XTMA1 | 726-PTFA092201EV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,028.1609 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT26H250W03SR6 | 841-AFT26H250W03SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,352.9646 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | BLT81,115 | 771-BLT81115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF | 数据表 | 1331 有库存 | 1：¥18.5913 10：¥15.8301 100：¥12.6243 500：¥11.0916 1,000：¥9.1845 2,000：¥8.5644 5,000：¥8.2602 10,000：¥7.956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF151G | 937-MRF151G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB | 数据表 | 226 有库存 | 1：¥857.2005 10：¥803.6496 25：¥784.836 50：¥766.0926 100：¥723.2589 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH3135-5S | 937-PH3135-5S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,608.8319 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | CGH40120P | 941-CGH40120P新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt | 数据表 | 无库存 | 250：¥2,316.6351 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PTFB092707FHV1R0XTMA1 | 726-PTFB092707FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥779.7114 100：¥726.0084 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF6V2150NR1 | 841-MRF6V2150NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W | 数据表 | 258 有库存 | 1：¥419.4918 5：¥398.2329 10：¥391.4235 25：¥354.7791 100：¥339.8616 250：¥314.0865 500：¥302.6907 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MT3S111(TE85L,F) | 757-MT3S111TE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF151A | 937-MRF151A新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 16 有库存 | 1：¥569.5794 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBFJ211 | 512-MMBFJ211新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 8836 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.34 100：¥1.2753 1,000：¥0.95589 3,000：¥0.819 9,000：¥0.7722 24,000：¥0.70317 45,000：¥0.68094 99,000：¥0.65052 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55008TR-E | 511-PD55008TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥120.1707 10：¥110.4597 25：¥105.8733 100：¥93.3192 250：¥88.7328 600：¥82.9998 1,200：¥76.1085 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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