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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CGH40006P | 941-CGH40006P 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt | 数据表 | 332 有库存 | 1：¥433.2627 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MMRF5014H-500MHZ | 841-MMRF5014H-500MHZ新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500M | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥10,205.9802 5：¥10,096.3746 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRFE8VP8600HR5 | 841-MRFE8VP8600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,359.4581 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFB241402FV1R250XTMA1 | 726-PTFB241402FV1R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 OTHERS | 数据表 | 无库存 | 250：¥507.2301 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFP540H6327XTSA1 | 726-BFP540H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 7909 有库存 | 1：¥4.3641 10：¥3.5919 100：¥2.1996 1,000：¥1.6965 3,000：¥1.4508 9,000：¥1.3455 24,000：¥1.2753 48,000：¥1.2519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55003-E | 511-PD55003-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS | 数据表 | 221 有库存 | 1：¥96.0804 10：¥88.3467 25：¥84.6846 100：¥74.5875 250：¥70.9137 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD2931-10W | 511-SD2931-10W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | 数据表 | 151 有库存 | 1：¥541.9674 5：¥532.0224 10：¥518.2515 25：¥508.0725 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1005HR5 | 841-MMRF1005HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,208.8547 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXAC260602FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC260602FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥504.8667 100：¥467.8362 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PD55003TR-E | 511-PD55003TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600：¥66.3975 1,200：¥60.8868 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
| PTFB091802FCV1R0XTMA1 | 726-PTFB091802FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥499.122 100：¥462.5595 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFS19,235 | 771-BFS19235新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.223 100：¥1.2051 1,000：¥0.90207 2,500：¥0.78039 10,000：¥0.72657 20,000：¥0.66573 50,000：¥0.64233 100,000：¥0.6201 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP61K25GNR6 | 841-MRFE6VP61K25GNR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,386.0054 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | SD2918 | 511-SD2918新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 125 Volt 6 Amp | 数据表 | 无库存 | 1：¥353.2464 5：¥345.4542 10：¥329.6124 25：¥315.7713 100：¥286.1703 250：¥276.2955 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5087-O(TE85L,F) | 757-2SC5087-OTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz | 数据表 | 2587 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.4804 100：¥1.3806 1,000：¥1.00971 3,000：¥0.87165 9,000：¥0.81081 24,000：¥0.74997 45,000：¥0.71955 99,000：¥0.68796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6S20010NR1 | 841-MRF6S20010NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2 | 数据表 | 无库存 | 500：¥213.6537 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MHT1008NT1 | 841-MHT1008NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥75.6522 | 最低： 1000 倍数： 1000 | |
 | TPR700 | 494-TPR700新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,798.172 5：¥2,622.4614 | 最低： 1 倍数： 1 | |
.JPG) | PD55003L-E | 511-PD55003L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan | 数据表 | 2839 有库存 | 1：¥69.9894 10：¥62.9577 25：¥57.3768 50：¥53.469 100：¥51.7842 250：¥47.1978 500：¥43.1379 1,000：¥36.4923 3,000：¥34.5735 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP840FESDH6327XTSA1 | 726-BFP840FESDH6327X新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2519 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.8431 100：¥1.7316 1,000：¥1.3338 3,000：¥1.13958 9,000：¥1.06353 24,000：¥1.00971 45,000：¥0.98631 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF085HR5 | 841-MRF085HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,197.8343 5：¥1,171.1349 10：¥1,147.185 25：¥1,130.2083 50：¥1,089.2115 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1214-110M | 494-1214-110M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,412.1178 5：¥3,197.9376 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1202R,215 | 771-BF1202R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3228 100：¥2.0241 1,000：¥1.5678 3,000：¥1.3338 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1817 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLV31 | 974-BLV31新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥665.5077 10：¥554.5917 25：¥499.122 50：¥443.664 100：¥399.2976 200：¥310.5648 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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