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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AFT18P350-4S2LR6 | 841-AFT18P350-4S2LR6 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,146.5766 | 最低： 150 倍数： 150 |  详细信息 |
 | BFU550WF | 771-BFU550WF新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 10000 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 2,500：¥1.10916 10,000：¥1.04013 25,000：¥0.97929 50,000：¥0.95589 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFT93,215 | 771-BFT93-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 PNP 12V 5GHZ | 数据表 | 34916 有库存 | 1：¥6.9615 10：¥5.7447 100：¥3.6972 1,000：¥2.9718 3,000：¥2.5038 9,000：¥2.4102 24,000：¥2.3166 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXFK240N25X3 | 747-IXFK240N25X3新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET | 数据表 | 76 有库存 | 1：¥168.2928 5：¥166.608 10：¥155.2824 25：¥148.3209 100：¥132.561 250：¥126.4419 500：¥120.4047 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NESG270034-EV09-AZ | NESG270034-EV09-AZ新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,051.8066 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | IXRFSM18N50 | 747-IXRFSM18N50新产品 | .[^>]*/29" target="_blank"> | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMPD RF Power MOSFET | 数据表 | 无库存 | 1：¥307.6632 5：¥298.4787 10：¥279.7353 25：¥258.7104 50：¥253.7379 100：¥237.744 250：¥216.4032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD56120C | 511-SD56120C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,376.4465 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF5176 | 974-MRF5176新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥573.7095 10：¥478.0971 25：¥430.2792 50：¥382.473 100：¥344.2257 200：¥267.7311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1214-32L | 494-1214-32L新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,232.2664 2：¥2,178.5634 5：¥2,146.6692 10：¥2,116.296 25：¥2,087.3034 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF10H6600PU | 771-BLF10H6600PU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF10H6600P/LDMOST/STANDARD MA | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,581.9102 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFP 196W H6327 | 726-BFP196WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 553 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.3517 100：¥1.00971 1,000：¥0.78039 3,000：¥0.58851 9,000：¥0.52767 24,000：¥0.49725 48,000：¥0.43641 99,000：¥0.4212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 640 H6327 | 726-BFP640H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.9718 100：¥1.8135 1,000：¥1.404 3,000：¥1.2051 9,000：¥1.11735 24,000：¥1.05534 45,000：¥1.03311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC210202FCV1R0XTMA1 | 726-PTFC210202FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥353.4804 100：¥327.5532 250：¥318.1464 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF6V12500HR5 | 841-MRF6V12500HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,829.9141 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF1K50N-TF4 | 841-MRF1K50N-TF4新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4 | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | AFT09MS031NR1 | 841-AFT09MS031NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V | 数据表 | 981 有库存 | 1：¥104.1885 10：¥95.8464 25：¥91.5642 100：¥80.9289 250：¥72.2826 500：¥69.9192 1,000：¥64.1043 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | LET9060 | 511-LET9060新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 400：¥338.7969 | 最低： 400 倍数： 400 | |
 | MRF422 | 937-MRF422新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB | 数据表 | 125 有库存 | 1：¥507.3939 10：¥487.8783 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55008S-E | 511-PD55008S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 209 有库存 | 1：¥120.1707 10：¥110.4597 25：¥105.8733 100：¥93.3192 250：¥88.7328 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXFC193808SVV1R250XTMA1 | 726-PXFC193808SVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MMRF1015NR1 | 841-MMRF1015NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V | 数据表 | 500 有库存 | 1：¥157.2012 5：¥150.3099 10：¥145.0332 25：¥126.5238 100：¥123.8445 250：¥118.638 500：¥109.161 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 275-501N16A-00 | 747-275-501N16A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275 500V 16A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 55 有库存 | 1：¥188.253 5：¥182.6721 10：¥171.1944 25：¥158.3478 50：¥155.2824 100：¥145.4895 250：¥132.4089 500：¥124.0785 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLV11 | 974-BLV11新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥573.7095 10：¥478.0971 25：¥430.2792 50：¥382.473 100：¥344.2257 200：¥267.7311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 193W H6327 | 726-BFP193WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 6815 有库存 | 1：¥3.2877 10：¥2.7846 100：¥1.6965 1,000：¥1.3104 3,000：¥1.11735 9,000：¥1.04013 24,000：¥0.98631 45,000：¥0.94068 99,000：¥0.91026 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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