24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF10120 | 937-MRF10120 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥1,327.214 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF6V3090NBR1 | 841-MRF6V3090NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥445.4168 | 最低： 500 倍数： 500 |  详细信息 |
 | 275-101N30A-00 | 747-275-101N30A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275-101N30A-00 100V 30A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 35 有库存 | 1：¥324.0692 5：¥312.6896 10：¥302.9804 25：¥280.2328 50：¥271.44 100：¥262.7168 250：¥250.502 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1320GNR1 | 841-MMRF1320GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥253.3788 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BFU760F,115 | 771-BFU760F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 64209 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.7608 100：¥1.682 1,000：¥1.2992 3,000：¥1.1078 9,000：¥1.03124 24,000：¥0.97788 45,000：¥0.95584 99,000：¥0.91756 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | J211-D74Z | 512-J211_D74Z新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 5901 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.5752 100：¥1.1832 1,000：¥0.9106 2,000：¥0.77372 10,000：¥0.70528 24,000：¥0.66004 50,000：¥0.5916 100,000：¥0.5684 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF6VP3450HSR5 | 841-MRF6VP3450HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,286.2544 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| BFR 360L3 E6765 | 726-BFR360L3E6765新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor | 数据表 | 16883 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.4708 100：¥1.13796 1,000：¥0.87232 2,500：¥0.74356 10,000：¥0.68208 15,000：¥0.63684 45,000：¥0.5684 90,000：¥0.54636 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF448 | 974-MRF448新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥854.572 10：¥826.0592 25：¥797.616 50：¥769.1032 100：¥738.0036 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF909WR,115 | 771-BF909WR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3756 100：¥2.0532 1,000：¥1.5892 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2644 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFR93AE6327HTSA1 | 726-BFR93AE6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 575 有库存 | 1：¥2.8768 10：¥2.1808 100：¥1.1832 1,000：¥0.8874 3,000：¥0.7656 9,000：¥0.7134 24,000：¥0.66004 48,000：¥0.62988 99,000：¥0.60668 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CGHV60170D | 941-CGHV60170D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | QPD1004SR | 772-QPD1004SR新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN | 数据表 | 118 有库存 | 1：¥607.4804 25：¥536.8016 100：¥474.3124 200：¥445.8692 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1214-110M | 494-1214-110M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10：¥3,170.6048 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC192908FVV1R250XTMA1 | 726-PXAC192908FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥806.0376 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BF904WR,135 | 771-BF904WR135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.1948 20,000：¥1.13796 50,000：¥1.11476 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | BLW77 | 974-BLW77新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥659.8196 10：¥549.8516 25：¥494.856 50：¥439.872 100：¥395.8848 200：¥307.9104 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFR340L3E6327XTMA1 | 726-BFR340L3E6327XTM新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.8072 10：¥2.088 100：¥1.13796 1,000：¥0.85724 2,500：¥0.73544 10,000：¥0.6902 15,000：¥0.62988 45,000：¥0.60668 90,000：¥0.58348 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD57030-01 | 511-SD57030-01新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp | 数据表 | 无库存 | 50：¥392.4744 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | RFM04U6P(TE12L,F) | 757-RFM04U6PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V | 数据表 | 590 有库存 | 1：¥23.2812 10：¥18.8036 100：¥15.022 500：¥13.2008 1,000：¥10.9156 2,000：¥10.1616 5,000：¥9.7788 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH3135-90S | 937-PH3135-90S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥2,728.146 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | 726-BFR840L3RHESDE63新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2047 有库存 | 1：¥4.6284 10：¥3.828 100：¥2.3316 1,000：¥1.798 2,500：¥1.5428 10,000：¥1.4384 15,000：¥1.3572 45,000：¥1.3224 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2V09H400-04NR3 | 841-A2V09H400-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 107 W Avg., 48 V | 数据表 | 218 有库存 | 1：¥947.8592 5：¥929.508 10：¥898.7912 25：¥860.7896 50：¥848.9576 100：¥789.5772 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CE3514M4 | 551-CE3514M4新产品 | CEL | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C | 数据表 | 290 有库存 | 1：¥9.0248 10：¥6.8904 100：¥5.0112 500：¥4.2572 1,000：¥3.5032 2,500：¥3.248 10,000：¥3.132 25,000：¥3.0972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
