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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMRF5014H-500MHZ | 841-MMRF5014H-500MHZ 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500M | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥10,118.7496 5：¥10,010.0808 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | ARF1501 | 494-ARF1501新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 19 有库存 | 1：¥1,433.0872 2：¥1,398.6584 5：¥1,378.1844 10：¥1,358.6152 25：¥1,340.032 50：¥1,248.1136 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | CGH55015F2 | 941-CGH55015F2新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt | 数据表 | 157 有库存 | 1：¥515.8636 10：¥488.0352 25：¥474.1616 50：¥467.1784 100：¥463.6868 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP182WH6327XTSA1 | 726-FP182WH6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 7720 有库存 | 1：¥2.958 10：¥2.0532 100：¥0.94772 1,000：¥0.72848 3,000：¥0.62176 9,000：¥0.5684 24,000：¥0.53128 48,000：¥0.47792 99,000：¥0.45472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP100HSR5 | 841-MRFE6VP100HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM | 数据表 | 56 有库存 | 1：¥682.1148 5：¥668.914 10：¥646.7696 25：¥619.3936 50：¥610.9024 100：¥568.2028 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L100U | 771-BLF2425M7L100U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥740.1264 120：¥689.1676 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | ARF448BG | 494-ARF448BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 31 有库存 | 1：¥342.4204 5：¥323.9184 10：¥320.1948 25：¥296.0784 50：¥286.8332 100：¥277.5764 250：¥259.0744 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1823 | 772-QPD1823新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V | 数据表 | 无库存 | 250：¥623.4072 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXAC201602FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC201602FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥563.122 100：¥521.942 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTFC260202FCV1XWSA1 | 726-PTFC260202FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥391.3376 100：¥362.674 250：¥352.1992 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| DSC5G02D0L | 667-DSC5G02D0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead | 数据表 | 6000 有库存 | 1：¥2.6564 10：¥1.7284 100：¥0.812 500：¥0.6148 1,000：¥0.493 3,000：¥0.37932 9,000：¥0.2958 24,000：¥0.2726 45,000：¥0.22736 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1105WR,135 | 771-BF1105WR135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.4592 100：¥1.508 1,000：¥1.1716 2,500：¥0.99296 10,000：¥0.92568 20,000：¥0.87928 50,000：¥0.85724 100,000：¥0.82708 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU710F,115 | 771-BFU710F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 3726 有库存 | 1：¥4.6284 10：¥3.828 100：¥2.3316 1,000：¥1.8096 3,000：¥1.5428 9,000：¥1.4384 24,000：¥1.3572 45,000：¥1.3224 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF6V2150NR1 | 841-MRF6V2150NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W | 数据表 | 248 有库存 | 1：¥458.9888 5：¥445.6372 10：¥436.0904 25：¥417.8088 100：¥387.1616 250：¥370.4808 500：¥359.3332 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MRF154 | 937-MRF154新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,467.6692 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXFC193808SVV1R250XTMA1 | 726-PXFC193808SVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT05MP075GNR1 | 841-AFT05MP075GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G | 数据表 | 无库存 | 500：¥123.0876 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MRFE6VP8600HSR5 | 841-MRFE6VP8600HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,925.4492 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | SD2931-10W | 511-SD2931-10W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | 数据表 | 124 有库存 | 1：¥537.3352 5：¥527.4752 10：¥513.822 25：¥503.73 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 375-102N15A-00 | 747-375-102N15A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375 15A 1000V N Channel MOSFET | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥172.0048 5：¥166.8544 10：¥156.3796 25：¥144.6288 50：¥141.8216 100：¥132.9476 250：¥120.9648 500：¥113.3784 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CG2H80030D-GP4 | 941-CG2H80030D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 50 有库存 | 10：¥743.9196 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
| BFP 720ESD H6327 | 726-BFP720ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 3669 有库存 | 1：¥4.176 10：¥3.4336 100：¥2.088 1,000：¥1.6124 3,000：¥1.3804 9,000：¥1.276 24,000：¥1.218 45,000：¥1.1948 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CGH55015F1 | 941-CGH55015F1新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt | 数据表 | 18 有库存 | 1：¥515.8636 10：¥488.0352 25：¥474.1616 50：¥467.1784 100：¥463.6868 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7LS100U | 771-BLF2425M7LS100U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥740.1264 120：¥689.1676 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
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