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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VRF3933MP | 494-VRF3933MP 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 10：¥1,515.5284 25：¥1,494.7412 50：¥1,392.29 | 最低： 10 倍数： 1 |  详细信息 |
| SD2932W | 511-SD2932W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz | 数据表 | 无库存 | 90：¥1,057.4444 | 最低： 90 倍数： 90 | 详细信息 |
| MRF5812GR1 | 974-MRF5812GR1新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 1500 有库存 | 1：¥45.5068 10：¥38.0712 25：¥34.2084 50：¥30.334 100：¥27.3064 200：¥21.2396 1,000：¥21.2396 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTAC240502FCV1R250XTMA1 | 726-PTAC240502FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥428.6548 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BLF2425M9LS30U | 771-BLF2425M9LS30U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥505.5512 5：¥496.306 10：¥483.488 25：¥474.0108 100：¥439.2688 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF8VP13350NR3 | 841-MRF8VP13350NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,460.2428 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFU768F,115 | 771-BFU768F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor | 数据表 | 2570 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.5752 100：¥1.566 1,000：¥1.218 3,000：¥1.03936 9,000：¥0.9628 24,000：¥0.91756 45,000：¥0.89436 99,000：¥0.85724 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD57030-E | 511-PD57030-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 78 有库存 | 1：¥330.89 2：¥327.2476 5：¥323.5356 10：¥308.7456 25：¥292.1344 50：¥285.012 100：¥268.018 250：¥248.8316 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF148A | 494-VRF148A新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥398.8428 2：¥388.078 5：¥377.3132 10：¥366.5368 25：¥340.6804 50：¥332.34 100：¥317.55 250：¥290.1624 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BG 3130R H6327 | 726-BG3130RH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.19 10：¥2.4244 100：¥1.3108 1,000：¥0.986 3,000：¥0.84912 9,000：¥0.79576 24,000：¥0.72848 48,000：¥0.70528 99,000：¥0.67512 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6VP3091NR1 | 841-MRF6VP3091NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥673.2408 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| PTFB241402FV1R250XTMA1 | 726-PTFB241402FV1R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 OTHERS | 数据表 | 无库存 | 250：¥502.8948 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PH3135-5S | 937-PH3135-5S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,595.0812 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| T1G4020036-FL | 772-T1G4020036-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| MCH4013-TL-E | 863-MCH4013-TL-E新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 NPN 15MA 3.5V FT=22.5G | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.19 10：¥2.5984 100：¥1.5892 1,000：¥1.2296 3,000：¥1.04632 9,000：¥0.97788 24,000：¥0.92568 45,000：¥0.90248 99,000：¥0.87232 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8S18210WGHSR3 | 841-MRF8S18210WGHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W | 数据表 | 无库存 | 250：¥764.556 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | ARF463AP1G | 494-ARF463AP1G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 13 有库存 | 1：¥273.4004 5：¥261.116 10：¥252.9264 25：¥232.4524 50：¥225.4692 100：¥214.7856 250：¥197.3392 500：¥181.7952 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU520AR | 771-BFU520AR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | 数据表 | 3770 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.5056 100：¥1.5196 1,000：¥1.1832 3,000：¥1.0092 9,000：¥0.94076 24,000：¥0.8874 45,000：¥0.8642 99,000：¥0.83404 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V2010GNR1 | 841-MRF6V2010GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN | 数据表 | 无库存 | 500：¥124.3752 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | T2G6000528-Q3 28V | 772-T2G6000528-Q328V新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN | 数据表 | 100 有库存 | 1：¥609.7656 25：¥516.0956 100：¥436.8444 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH3135-20M | 937-PH3135-20M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,744.2572 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | SD56120C | 511-SD56120C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,364.682 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| PTVA104501EHV1R0XTMA1 | 726-PTVA104501EHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,105.0404 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | SD4933MR | 511-SD4933MR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,067.5364 5：¥1,046.5984 10：¥997.832 25：¥976.8244 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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