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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLW50F | 974-BLW50F 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥741.3444 10：¥680.2936 25：¥610.5196 50：¥540.7456 100：¥488.418 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | TAN250A | 494-TAN250A新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥2,320.9512 2：¥2,265.132 5：¥2,231.9212 10：¥2,200.3692 25：¥2,170.186 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | CGHV96100F2 | 941-CGHV96100F2新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| ARF468BG | 494-ARF468BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥367.9056 2：¥357.8948 5：¥347.9536 10：¥338.024 25：¥314.128 50：¥306.472 100：¥292.8188 250：¥267.6468 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| NESG260234-EV09 | 551-NESG260234-EV09新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥948.01 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MMBT918 | 512-MMBT918新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 3324 有库存 | 1：¥1.8908 10：¥1.2644 100：¥0.52316 1,000：¥0.35612 3,000：¥0.28072 9,000：¥0.24244 24,000：¥0.22736 45,000：¥0.21228 99,000：¥0.18212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BLF245 | 974-BLF245新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥546.0584 10：¥455.0448 25：¥409.538 50：¥364.0312 100：¥327.6304 200：¥313.374 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC201202FCV2R0XTMA1 | 726-PXAC201202FCV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥483.488 100：¥448.0732 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF448 | 937-MRF448新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB | 数据表 | 156 有库存 | 1：¥711.0104 10：¥694.782 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 375-102N12A-00 | 747-375-102N12A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375-102N12A 12A 1000V N Channel MOSFET | 数据表 | 34 有库存 | 1：¥231.0836 5：¥224.1816 10：¥210.1572 25：¥194.3812 50：¥190.588 100：¥178.6052 250：¥162.5972 500：¥152.366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| TPR700 | 494-TPR700新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥2,600.0472 | 最低： 25 倍数： 1 | |
| PTFB091802FCV1R250XTMA1 | 726-FB091802FCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥438.7352 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BF904WR,115 | 771-BF904WR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.8628 10：¥3.2132 100：¥1.9604 1,000：¥1.508 3,000：¥1.2876 9,000：¥1.1948 24,000：¥1.13796 45,000：¥1.11476 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BLF278 | 974-BLF278新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 68 有库存 | 1：¥1,220.8884 10：¥1,175.5324 25：¥1,119.7944 50：¥1,107.278 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT23H160-25SR3 | 841-AFT23H160-25SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥696.2204 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFP 450 H6433 | 726-BFP450H6433新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.2456 10：¥3.5264 100：¥2.2736 1,000：¥1.8212 2,500：¥1.5428 10,000：¥1.4848 20,000：¥1.4268 50,000：¥1.4036 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BLF6G13LS-250PGJ | 771-BLF6G13LS-250PGJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,413.9704 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BF1204,115 | 771-BF1204115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.9972 10：¥4.9416 100：¥3.19 1,000：¥2.552 3,000：¥2.1576 9,000：¥2.0764 24,000：¥1.9952 45,000：¥1.9604 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| DU2860U | 937-DU2860U新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥612.19 5：¥550.9072 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP 840FESD H6327 | 726-BFP840FESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2243 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.8188 100：¥1.7168 1,000：¥1.3224 3,000：¥1.12984 9,000：¥1.05444 24,000：¥1.00108 45,000：¥0.97788 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L250P,112 | 771-BLF2425M7L250P11新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,337.3756 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| BFP405FH6327XTSA1 | 726-BFP405FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2297 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.4824 100：¥1.5196 1,000：¥1.1716 3,000：¥1.00108 9,000：¥0.93264 24,000：¥0.8874 45,000：¥0.8642 99,000：¥0.82708 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 0910-150M | 494-0910-150M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10：¥2,493.3388 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P20165WHSR3 | 841-MRF8P20165WHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780S-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥801.4092 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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