
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BFS20,215 | 771-BFS20215![]() 新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ | 数据表 | 无库存 | 1:¥2.958 10:¥2.204 100:¥1.1948 1,000:¥0.89436 3,000:¥0.77372 9,000:¥0.72036 24,000:¥0.66004 45,000:¥0.63684 99,000:¥0.6148 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | 150-102N02A-00 | 747-150-102N02A-00![]() 新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 1000V 2A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 40 有库存 | 1:¥256.8008 5:¥249.0636 10:¥233.4384 25:¥215.9224 50:¥211.7464 100:¥198.3948 250:¥180.6584 500:¥169.2788 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | SD57060 | 511-SD57060![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp | 数据表 | 16 有库存 | 1:¥627.966 5:¥616.4356 10:¥588.7464 25:¥569.1076 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PD57018-E | 511-PD57018-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 119 有库存 | 1:¥245.804 5:¥243.2172 10:¥226.6872 25:¥216.5256 100:¥193.6272 250:¥184.672 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | KSC1674YBU | 512-KSC1674YBU![]() 新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN Epitaxial Sil | 数据表 | 15813 有库存 | 1:¥2.204 10:¥1.4964 100:¥0.62988 1,000:¥0.42456 2,000:¥0.33408 10,000:¥0.28768 25,000:¥0.2726 50,000:¥0.25056 100,000:¥0.2204 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PH1214-25M | 937-PH1214-25M![]() 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 8 有库存 | 1:¥1,598.654 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
![]() | T1G6001032-SM | 772-T1G6001032-SM![]() 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 32Volt GaN 10 Watt Peak | 数据表 | 32 有库存 | 1:¥530.8856 25:¥469.0808 100:¥414.468 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BLW85 | 974-BLW85![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥546.0584 10:¥455.0448 25:¥409.538 50:¥364.0312 100:¥327.6304 200:¥254.8288 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PTRA094252FCV1R2XTMA1 | 726-PTRA094252FCV1R2![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250:¥654.8896 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | PTFA211801EV5R0XTMA1 | 726-PTFA211801EV5R0X![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50:¥986.1624 | 最低: 50 倍数: 50 | ![]() 详细信息 |
![]() | CGH40035F | 941-CGH40035F![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt | 数据表 | 72 有库存 | 1:¥1,246.362 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | TAN300 | 494-TAN300![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25:¥2,404.3784 | 最低: 25 倍数: 1 | |
![]() | MRF1K50H-TF3 | 841-MRF1K50H-TF3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3 | 数据表 | 2 有库存 | 1:¥9,920.3548 5:¥9,813.7972 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | STAC2933 | 511-STAC2933![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz | 数据表 | 50 有库存 | 1:¥788.742 5:¥774.2536 10:¥739.4536 25:¥714.8036 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF136 | 937-MRF136![]() 新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB | 数据表 | 272 有库存 | 1:¥185.5768 10:¥181.946 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BF1102R,135 | 771-BF1102R135![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000:¥1.9836 20,000:¥1.8908 | 最低: 10000 倍数: 10000 | ![]() 详细信息 |
MT3S113TU,LF | 757-MT3S113TULF![]() 新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW | 数据表 | 无库存 | 3,000:¥1.8792 9,000:¥1.8096 24,000:¥1.74 45,000:¥1.7168 | 最低: 3000 倍数: 3000 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BF1212,215 | 771-BF1212![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V | 数据表 | 无库存 | 1:¥4.0252 10:¥3.2944 100:¥2.0068 1,000:¥1.5544 3,000:¥1.3224 9,000:¥1.2412 24,000:¥1.1716 45,000:¥1.13796 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PTFB193404FV1R250XTMA1 | 726-PTFB193404FV1R25![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250:¥996.3936 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | DU1260T | 937-DU1260T![]() 新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1:¥1,329.8704 | 最低: 1 倍数: 1 | |
MRF1K50NR5 | 841-MRF1K50NR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V | 数据表 | 96 有库存 | 1:¥1,835.6536 5:¥1,794.694 10:¥1,757.9916 25:¥1,732.054 50:¥1,669.1008 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | DSC5G02C0L | 667-DSC5G02C0L![]() 新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1:¥2.6564 10:¥1.7284 100:¥0.812 500:¥0.6148 1,000:¥0.493 3,000:¥0.37932 9,000:¥0.2958 24,000:¥0.2726 45,000:¥0.22736 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | IXZR08N120 | 747-IXZR08N120![]() 新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 08A 1200V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO PLUS 247 | 数据表 | 77 有库存 | 1:¥234.494 5:¥227.4412 10:¥213.1848 25:¥197.1884 50:¥193.314 100:¥181.1804 250:¥164.952 500:¥154.5584 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |