24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | QPD2793 | 772-QPD2793 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V | 数据表 | 无库存 | 500：¥623.4072 | 最低： 500 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PD54008S-E | 511-PD54008S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 271 有库存 | 1：¥119.1436 10：¥109.5156 25：¥104.9684 100：¥92.5216 250：¥87.9744 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF455 | 937-MRF455新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB | 数据表 | 16 有库存 | 1：¥343.1744 10：¥330.5884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 183W H6327 | 726-BFP183WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 11972 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.4012 100：¥1.1078 1,000：¥0.84912 3,000：¥0.72848 9,000：¥0.66004 24,000：¥0.62176 48,000：¥0.55332 99,000：¥0.53128 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD3933 | 511-SD3933新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,067.5364 5：¥1,046.5984 10：¥997.832 25：¥976.8244 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 150-501N04A-00 | 747-150-501N04A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 500V 4A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 28 有库存 | 1：¥175.3456 5：¥170.114 10：¥159.4188 25：¥147.5056 50：¥144.6288 100：¥135.5228 250：¥123.3892 500：¥115.5824 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 193W H6327 | 726-BFR193WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1295 有库存 | 1：¥2.958 10：¥2.0532 100：¥0.94772 1,000：¥0.72848 3,000：¥0.62176 9,000：¥0.5684 24,000：¥0.53128 48,000：¥0.47792 99,000：¥0.45472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55025TR-E | 511-PD55025TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel | 数据表 | 无库存 | 1：¥217.21 5：¥215.006 10：¥200.3668 25：¥191.342 100：¥171.10 250：¥163.212 600：¥155.3936 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8S18120HSR3 | 841-MRF8S18120HSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS | 数据表 | 193 有库存 | 1：¥819.1572 5：¥803.2304 10：¥776.7592 25：¥743.85 50：¥733.6884 100：¥682.3352 250：¥667.0232 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC243502FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC243502FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,032.8756 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | NPT2022 | 937-NPT2022新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,382.8824 10：¥1,128.0536 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC201602FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC201602FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥499.3336 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| BFR360FH6327XTSA1 | 726-BFR360FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.958 10：¥2.0532 100：¥0.94772 1,000：¥0.72848 3,000：¥0.62176 9,000：¥0.56144 24,000：¥0.53128 48,000：¥0.47792 99,000：¥0.45472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1208,115 | 771-BF1208115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.162 10：¥4.234 100：¥2.726 1,000：¥2.1808 4,000：¥1.856 8,000：¥1.7864 24,000：¥1.7052 48,000：¥1.682 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57006TR-E | 511-PD57006TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600：¥84.7844 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
| MMRF1018NBR1 | 841-MMRF1018NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband RF Power LDMOS Transistor, 470-860 MHz, 90 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥445.4168 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | RFM03U3CT(TE12L) | 757-RFM03U3CTTE12L新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2.5A 7W 16V | 数据表 | 无库存 | 1：¥46.5624 10：¥37.3868 100：¥34.0576 250：¥30.7864 500：¥27.608 1,000：¥23.2812 3,000：¥22.1444 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T1G4012036-FL | 772-T1G4012036-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| BFR 380F H6327 | 726-BFR380FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 12000 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.32 100：¥1.00108 1,000：¥0.7656 3,000：¥0.58348 9,000：¥0.5162 24,000：¥0.48488 48,000：¥0.43268 99,000：¥0.4176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBF5486 | 512-MMBF5486新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 1879 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥1.9604 100：¥0.84216 1,000：¥0.65192 3,000：¥0.493 9,000：¥0.43964 24,000：¥0.40948 45,000：¥0.36424 99,000：¥0.34916 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| VRF150MP | 494-VRF150MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥719.5828 2：¥697.2064 5：¥696.9744 10：¥674.5284 25：¥649.1244 50：¥640.32 100：¥586.554 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF13750H-915MHZ | 771-MRF13750H-915MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750W 915MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFR 360F H6765 | 726-BFR360FH6765新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5958 有库存 | 1：¥2.958 10：¥2.0532 100：¥0.94772 1,000：¥0.72848 3,000：¥0.62176 9,000：¥0.56144 24,000：¥0.53128 48,000：¥0.47792 99,000：¥0.45472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
