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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFA212001E V4 | 726-PTFA212001EV4 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |  详细信息 | |
 | RFM01U7P(TE12L,F) | 757-RFM01U7PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V | 数据表 | 无库存 | 1：¥19.8081 10：¥15.9822 100：¥12.7764 500：¥11.2437 1,000：¥9.3366 2,000：¥8.6463 5,000：¥8.3421 10,000：¥8.0262 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1024HSR5 | 841-MMRF1024HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,056.6972 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU520VL | 771-BFU520VL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.7144 100：¥1.4742 1,000：¥1.10097 2,500：¥0.94887 10,000：¥0.88686 25,000：¥0.819 50,000：¥0.78741 100,000：¥0.75699 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB213208SVV1R250XTMA1 | 726-PTFB213208SVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PTFB213208FVV2R2XTMA1 | 726-PTFB213208FVV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 无库存 | 250：¥1,004.9832 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | BLC8G27LS-60AVZ | 771-BLC8G27LS-60AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥458.055 5：¥447.7239 10：¥430.2792 25：¥416.3562 100：¥385.9128 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T18H410-24SR6 | 841-A2T18H410-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,917.1854 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | CGHV40180F | 941-CGHV40180F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF557 | 974-MRF557新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.6884 25：¥25.7751 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MRF8VP13350GNR3 | 841-MRF8VP13350GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,472.8311 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXAC201602FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC201602FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥503.6382 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| AGR19060EF | 974-AGR19060EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB | 无库存 | 10：¥696.1032 30：¥616.5432 50：¥556.8849 100：¥536.9949 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | |
 | UF2840P | 937-UF2840P新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥594.36 5：¥544.4127 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF6V2300NR5 | 841-MRF6V2300NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W TO270WB4N | 数据表 | 46 有库存 | 1：¥1,089.3636 5：¥1,068.1749 10：¥1,032.9813 25：¥989.2233 50：¥975.6162 100：¥907.3818 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF1K50H-TF2 | 841-MRF1K50H-TF2新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF2 | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | CGHV60075D5 | 941-CGHV60075D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF6VP3091NBR5 | 841-MRF6VP3091NBR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W | 数据表 | 无库存 | 50：¥522.2997 100：¥484.0524 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MMRF1316NR1 | 841-MMRF1316NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥620.5212 5：¥608.517 10：¥588.393 25：¥563.5305 50：¥555.7383 100：¥516.8709 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T18S260W12NR3 | 841-A2T18S260W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,363.0617 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BLF2324M8LS200PU | 771-BLF2324M8LS200PU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,135.9413 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | SD1013-03 | 974-SD1013-03新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | NESG260234-EV09 | 551-NESG260234-EV09新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥956.1825 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | 2307 | 494-2307新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,164.5595 2：¥1,141.686 5：¥1,103.661 10：¥1,083.8529 25：¥1,061.3655 50：¥1,012.0266 | 最低： 1 倍数： 1 |
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