图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
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![]() | CGH40025F | 941-CGH40025F![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt | 数据表 | 172 有库存 | 1:¥910.542 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BF513,215 | 771-BF513215![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 425 有库存 | 1:¥5.3128 10:¥4.3964 100:¥2.842 1,000:¥2.2736 3,000:¥1.914 9,000:¥1.856 24,000:¥1.7748 45,000:¥1.7516 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PTAC210802FCV1XWSA1 | 726-PTAC210802FCV1XW![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
![]() | MMRF2010GNR1 | 841-MMRF2010GNR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500:¥1,957.2216 | 最低: 500 倍数: 500 | ![]() 详细信息 |
![]() | PH1090-175L | 937-PH1090-175L![]() 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1:¥1,812.0592 | 最低: 1 倍数: 1 | |
AFT18S230SR3 | 841-AFT18S230SR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 250:¥705.5468 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BFR181E6327HTSA1 | 726-BFR181E6327HTSA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1:¥3.19 10:¥2.2156 100:¥1.01616 1,000:¥0.78068 3,000:¥0.667 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PD55035-E | 511-PD55035-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | 1:¥250.8848 5:¥248.298 10:¥231.3852 25:¥221.0032 100:¥197.6408 250:¥188.5348 500:¥179.4404 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | VRF151G | 494-VRF151G![]() 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 15 有库存 | 1:¥899.0116 2:¥871.102 5:¥870.8816 10:¥842.74 25:¥811.0372 50:¥800.0404 100:¥732.8532 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | TGF2954 | 772-TGF2954![]() 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ![]() 详细信息 | |
![]() | PTVA123501FCV1R250XTMA1 | 726-PTVA123501FCV1R2![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250:¥2,617.1108 | 最低: 250 倍数: 250 | |
![]() | BLC9G24LS-170AVZ | 771-BLC9G24LS-170AVZ![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 无库存 | 60:¥678.3912 120:¥631.678 | 最低: 60 倍数: 60 | ![]() 详细信息 | |
![]() | PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ![]() 详细信息 | ||
![]() | PTFA220041MV4R1KXUMA1 | 726-PTFA220041MV4R1K![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 1,000:¥46.1912 2,000:¥44.4396 | 最低: 1000 倍数: 1000 | ![]() 详细信息 | |
![]() | VRF157FL | 494-VRF157FL![]() 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 3 有库存 | 1:¥2,178.5264 2:¥2,126.1176 5:¥2,095.0296 10:¥2,065.3684 25:¥2,037.0876 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | AFT09MP055NR1 | 841-AFT09MP055NR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4 | 数据表 | 无库存 | 500:¥194.3812 | 最低: 500 倍数: 500 | ![]() 详细信息 |
![]() | ATF-331M4-BLK | 630-ATF-331M4-BLK![]() 新产品 | Broadcom / Avago | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Low Noise | 数据表 | 无库存 | 1:¥23.5132 10:¥20.0216 100:¥17.3652 200:¥16.4604 500:¥14.79 1,000:¥12.4352 2,000:¥11.832 5,000:¥11.3796 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MW6S004NT1 | 841-MW6S004NT1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N | 数据表 | 1275 有库存 | 1:¥84.0304 10:¥77.0588 25:¥70.0756 100:¥63.0228 250:¥57.7912 500:¥52.5596 1,000:¥47.328 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | BLF2425M8LS140U | 771-BLF2425M8LS140U![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60:¥907.816 | 最低: 60 倍数: 60 | ![]() 详细信息 |
![]() | CGH40045F | 941-CGH40045F![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt | 数据表 | 62 有库存 | 1:¥1,511.132 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PXAC201202FCV2XWSA1 | 726-PXAC201202FCV2XW![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50:¥483.488 100:¥448.0732 | 最低: 50 倍数: 50 | |
![]() | T1G4012036-FS | 772-T1G4012036-FS![]() 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ![]() 详细信息 | |
![]() | MS1402 | 494-MS1402![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 无库存 | 1:¥492.2112 5:¥477.2704 10:¥463.2344 25:¥434.2692 50:¥423.8756 100:¥414.0156 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | DSA3G0100L | 667-DSA3G0100L![]() 新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 1.2x1.2mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1:¥2.726 10:¥1.7632 100:¥0.82708 500:¥0.62988 1,000:¥0.50112 2,500:¥0.37932 10,000:¥0.2958 20,000:¥0.28072 50,000:¥0.23548 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |