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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLF25M612,118 | 771-BLF25M612118 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 19dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |  详细信息 | |
 | PTFA220121MV4XUMA1 | 726-PTFA220121MV4XUM新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 1：¥106.6272 10：¥98.0664 25：¥94.0412 100：¥82.8124 250：¥78.7988 500：¥73.718 1,000：¥67.57 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MMBTH81 | 512-MMBTH81新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 PNP RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1.8212 10：¥1.218 100：¥0.50808 1,000：¥0.34916 3,000：¥0.2726 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57006-E | 511-PD57006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS | 数据表 | 171 有库存 | 1：¥122.786 10：¥112.926 25：¥108.228 100：¥95.3288 250：¥90.6308 500：¥84.7844 1,000：¥77.8128 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC243502FVV1XWSA1 | 726-PXAC243502FVV1X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 35：¥1,032.8756 | 最低： 35 倍数： 35 | |
 | 1035MP | 494-1035MP新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥822.6488 100：¥796.63 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
| TCS1200 | 494-TCS1200新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 1：¥5,018.2296 5：¥4,938.9784 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | AFT18S230SR5 | 841-AFT18S230SR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 50：¥776.0748 100：¥721.7752 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTVA042502ECV1R0XTMA1 | 726-PTVA042502ECV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,052.5144 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | ARF460BG | 494-ARF460BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥318.2228 2：¥309.5808 5：¥301.0084 10：¥292.3664 25：¥271.7416 50：¥265.1412 100：¥253.3092 250：¥231.4664 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFS25A,115 | 771-BFS25A115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS | 数据表 | 2475 有库存 | 1：¥4.176 10：¥3.4336 100：¥2.088 1,000：¥1.6124 3,000：¥1.3804 9,000：¥1.276 24,000：¥1.218 45,000：¥1.1948 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AGR09085EF | 974-AGR09085EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 105Watt Gain 18dB | 无库存 | 1：¥612.4104 5：¥561.9852 10：¥504.3448 25：¥446.7044 50：¥403.4712 100：¥389.064 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | AFT09MS031GNR1 | 841-AFT09MS031GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V | 数据表 | 465 有库存 | 1：¥131.3584 10：¥120.814 25：¥115.4316 100：¥102.0104 250：¥91.1644 500：¥88.1252 1,000：¥80.852 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | LET9045 | 511-LET9045新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥381.7096 5：¥373.1372 10：¥358.5792 25：¥346.9676 100：¥321.5636 250：¥312.3068 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| AFT20P140-4WGNR3 | 841-AFT20P140-4WGNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥477.7228 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | STAC4933 | 511-STAC4933新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 100MHz FET | 数据表 | 38 有库存 | 1：¥837.288 5：¥821.9644 10：¥784.9488 25：¥758.7908 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| DSC5G03S0L | 667-DSC5G03S0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.6564 10：¥1.7284 100：¥0.812 500：¥0.6148 1,000：¥0.493 3,000：¥0.37932 9,000：¥0.2958 24,000：¥0.2726 45,000：¥0.22736 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFR 340L3 E6327 | 726-BFR340L3E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 12530 有库存 | 1：¥2.8072 10：¥2.088 100：¥1.13796 1,000：¥0.85724 2,500：¥0.73544 10,000：¥0.6902 15,000：¥0.62988 45,000：¥0.60668 90,000：¥0.58348 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 475-102N21A-00 | 747-475-102N21A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 21A 1000V N Channel MOSFET | 数据表 | 45 有库存 | 1：¥249.4348 5：¥242.0108 10：¥226.7684 25：¥209.7744 50：¥205.6796 100：¥192.792 250：¥175.4964 500：¥164.4184 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57060TR-E | 511-PD57060TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 无库存 | 600：¥307.6088 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | 2735GN-35M | 494-2735GN-35M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥1,970.1208 10：¥1,942.2112 25：¥1,915.5892 50：¥1,784.312 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AGR09045EF | 974-AGR09045EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | ARF1500 | 494-ARF1500新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥1,368.0924 2：¥1,335.1716 5：¥1,315.6836 10：¥1,297.0308 25：¥1,279.2828 50：¥1,191.5404 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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